Вышедшие номера
О возможности наблюдения релаксационных колебаний в структуре полупроводник--зазор--полупроводник
Арутюнян В.М.1, Неркарарян Х.В.1
1Ереванский государственный университет
Поступила в редакцию: 25 октября 1993 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1994 г.

  1. Тсанг У. Полупроводниковые инжекционные лазеры. М.: Радио и связь, 1990. С. 213--320
  2. Смоленский Г.А. и др. Физика сегнетоэлектрических явлений. Л.: Наука, 1985. 396 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.