Вышедшие номера
Фотоэлектрические свойства кристаллов Li 2Ge7O 15:Cr и люкс-амперная характеристика стационарного фототока в примесных диэлектриках
Басун С.А.1, Каплянский А.А.1, Феофилов С.П.1, Мельников О.К.1, Севастьянов Б.К.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 13 декабря 1993 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1994 г.

Стационарный фототок j, связанный с двухступенчатой фотоионизацией примесных ионов Cr3+ в решетке Li2Ge7O15 (LGO), измерен в зависимости от мощности оптической накачки P (T=77 K). В кристалах LGO:Cr j~ P2, в то время как в кристаллах с соактиватором LGO:Cr,Mg j~ P3/2. Это различие в ходе j(P) связывается с различием в исходной концентрации n0+ центров рекомбинации для фотоэлектронов (ионы Cr4+). В LGO:Cr n^0_+>> n*, а в LGO:Cr,Mg n0+<< n*, где n* - концентрация Cr4+, образуемых при оптическом возбуждении за счет фотоионизации Cr3+. При этом в отличие от случая LGO:Cr в случае LGO:Cr,Mg чрезвычайно важны захват и оптическое возбуждение фотоэлектронов с глубоких ловушек. Проанализирован ход стационарного фототока j(P) для примесных диэлектриков в зависимости от содержания примесных ионов в разном зарядовом состоянии и от различных условий прилипания фотоносителей на ловушках.
  1. Basun S.A., Feofilov S.P., Kaplyanskii A.A. J. Lumin. (in press); Proc. of IX Int. Conf. on the Dynamical Processes in Excited States of Solids. Cambridge, MA, USA, 1993
  2. Powell R.C. J. Appl. Phys. 1968. V. 39. P. 4517--4521; Phys. Rev. 1968. V. 173. P. 358--366
  3. Basun S.A., Feofilov S.P., Kaplyanskii A.A., Bykov A.V., Sevastyanov B.K., Sharonov M.Yu. J. Lumin. 1992. V. 53. P. 24--27
  4. Басун С.А., Каплянский А.А., Феофилов С.П. Письма в ЖЭТФ. 1992. Т. 56. N 1. С. 49--54; Basun S.A., Feofilov S.P., Kaplyanskii A.A. Ferroelectrics. 1993. V. 143. P. 163--170
  5. Басун С.А., Каплянский А.А., Феофилов С.П. ФТТ. 1992. Т. 34. N 11. С. 3377
  6. Kaplyanskii A.A., Basun S.A., Feofilov S.P. Proc. of the XII Int. Conf. on Defects in Insulating Materials (Nordkirchen, Germany, Aug. 1992) / Ed. O. Kanert and J-M. Spaeth. World Scientific, Singapore, 1993. V. 1. P. 386--388
  7. Kratzig E. Ferroelectrics. 1978. V. 21. N 1--4. P. 635--636
  8. Sommerfeldt R., Holtman L., Kratzig E. Ferroelectrics. 1989. V. 92. P. 219--225
  9. Мотт Н., Герни Р. Электронные процессы в ионных кристаллах. М.: ИЛ, 1950
  10. Галеев А.А., Хасанов Н.М., Быков А.В., Винокуров В.М., Низамутдинов Н.М., Булка Г.Р. Спектроскопия, химия и реальная структура минералов и их аналогов. Казань, Казанский университет, 1990. С. 77--92
  11. Басун С.А., Каплянский А.А., Феофилов С.П., Мельников О.К., Севастьянов Б.К. ФТТ. 1994. Т. 36, в печати

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.