Проанализированы спектры экситонного отражения и экситонной фотолюминесценции эпитаксиальных пленок ZnSe на GaAs (100), выращенных методами газофазной и фотостимулированной газофазной эпитаксии. Изменения в оптических характеристиках гетероэпитаксиальных слоев, улучшение морфологии поверхности и качества кристаллической структуры образцов, выращенных методом фотостимулированной газофазной эпитаксии, трактуются на основе модели роста эпитаксиального слоя при резонансном фотовозбуждении с учетом возмущения sp³-связей. Наблюдаемые различия в оптических характеристиках тонких и толстых пленок связаны с изменением вида деформационных напряжений в гетероэпитаксиальном слое ZnSe. При d<d _cr=0.88 mu в них превалирует деформация сжатия, обусловленная рассогласованием параметров кристаллических решеток, а при d>d _cr - деформация растяжения, связанная с различием коэффициентов термического расширения для ZnSe и GaAs.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.