В модели сильной связи показано, что при учете экранирования примесных потенциалов донорного типа электронами проводимости концентрация электронов проводимости как функция от концентрации доноров образует петлю гистерезиса в некотором интервале изменения концентрации доноров. Явление гистерезиса обусловлено экранированием примесных потенциалов и имеет место лишь в том случае, если концентрация электронов проводимости меняется скачком в точке перехода металл-изолятор. Наличие гистерезиса приводит к тому, что система электронов в некотором интервале изменения концентраций доноров вблизи точки перехода может находиться как в полупроводниковом, так и в металлическом состоянии в зависимости от предыстории этого состояния.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.