Издателям
Вышедшие номера
Гистерезисные явления вблизи перехода металл--изолятор в легированных полупроводниках
Михеев В.М.1
1Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
Поступила в редакцию: 29 июля 1993 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1994 г.

В модели сильной связи показано, что при учете экранирования примесных потенциалов донорного типа электронами проводимости концентрация электронов проводимости как функция от концентрации доноров образует петлю гистерезиса в некотором интервале изменения концентрации доноров. Явление гистерезиса обусловлено экранированием примесных потенциалов и имеет место лишь в том случае, если концентрация электронов проводимости меняется скачком в точке перехода металл--изолятор. Наличие гистерезиса приводит к тому, что система электронов в некотором интервале изменения концентраций доноров вблизи точки перехода может находиться как в полупроводниковом, так и в металлическом состоянии в зависимости от предыстории этого состояния.
  1. Михеев В.М. ФТТ. 1993. Т. 35. N 9. С. 2410--2417
  2. Каллуэй Дж. Теория энергетической зонной структуры. М.: Мир, 1969. 358 с
  3. Михеев В.М. ФТТ. 1991. Т. 33. N 4. С. 1040--1045
  4. Пайнс Д. Элементарные возбуждения в твердых телах. М.: Мир, 1965. 382 с
  5. Михеев В.М. ФТТ. 1992. Т. 34. N 7. С. 2075--2086

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.