Исследуется спектр энергий электронов (дырок) в слоистой сверхрешеточной полупроводниковой структуре типа GaAs-AlGaAs во внешнем магнитном поле, перпендикулярном направлению периодичности. В качестве эффективной теоретической модели одномерной сверхрешетки используется предельная форма потенциала Кронига-Пенни - цепочка плоских delta-барьеров. В общем случае спектр допустимых энергий движения электрона-дырки в плоскости, перпендикулярной магнитному полю, состоит из полос, ширина которых существенно зависит от проницаемости барьеров и величины магнитного поля. В предельном случае распада сверхрешетки на изолированные потенциальные ямы полосы сливаются в непрерывный спектр. В пределе легко проницаемых барьеров или слабого магнитного поля полосы сжимаются в дискретные уровни - уровни Ландау. Найден и исследуется коэффициент поглощения света при разрешенно-дипольных межзонных переходах. Анализ частотной зависимости поглощения показывает, что в спектре должны проявляться особенности Ван Хова двух типов - ступеньки (двумерные минимумы энергии электрон-дырочной пары) и логарифмические разрывы (седловые точки). Показывается, что ряд основных выводов, полученных в работе, носит общий, не зависящий от выбора модели, характер.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.