Вышедшие номера
Эффекты памяти в полевых транзисторных структурах на основе композитных пленок полиэпоксипропилкарбазола с наночастицами золота
Алешин А.Н.1, Федичкин Ф.С.1, Гусаков П.Е.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: aleshin@transport.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 25 апреля 2011 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2011 г.

Исследованы эффекты памяти в полевых транзисторных структурах с активным слоем на основе композитных пленок полупроводникового полимера - производного карбазола и наночастиц золота, проявляющиеся в гистерезисе переходных характеристик транзистора. Показано, что наблюдаемые эффекты связаны с особенностями транспорта в структуре полимер-наночастицы золота, где последние выполняют функцию среды накопления (аккумулирования) носителей заряда. Обсуждается механизм записи-стирания информации, основанный на модуляции проводимости рабочего канала полевого транзистора напряжением на затворе. Работа выполнена при поддержке Программы фундаментальных исследований Президиума РАН П-7 (направление "Полифункциональные материалы для молекулярной электроники") и гранта РФФИ N 11-02-00451-а.