Волновые процессы в полупроводниках, стимулированные оптическим излучением в условиях температурной зависимости времени релаксации носителей заряда.
Бондаренко О.С.1, Поляков С.В.1, Трофимов В.А.1
1Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова
Поступила в редакцию: 2 сентября 1992 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1993 г.
Анализируется взаимодействие оптического излучения с полупроводником в условиях температурной зависимости времени релаксации носителей заряда. Обнаружено развитие периодических и волновых процессов изменения концентрации электронов, температуры полупроводника, выходной интенсивности света. Изучено влияние различных физических факторов на их формирование. Показано, что диффузия зарядов и теплопроводность приводят к синхронизации колебаний во всех сечениях среды.
- Гиббс Х. Оптическая бистабильность. Управление светом с помощью света: Пер. с англ. М.: Мир, 1988. 518 с
- Стадник В.А. ФТТ. 1985. Т. 30. N 12. С. 3571--3577
- Rosanov N.N., Fedorova A.V., Khodova G.V. Phys. Stat. Sol. B. 1988. V. 150. N 2. P. 545--555
- Dneprovskii V.S. et al. J. de Physique c2. 1988. V. 49. N 6. P. 241
- Смит Р. Полупроводники. М.: Мир, 1982
- Карамзин Ю.Н., Поляков С.В., Трофимов В.А. Письма в ЖТФ. 1992. Т. 18. N 9. С. 6--10
- Balkarei Yu.I. et al. Opt. Commun. 1988. V. 66. P. 161
- Балкарей Ю.И. и др. Изв. АН СССР. Сер. Физич. 1988. Т. 52. N 3. C. 572
- Koch. S.W., Schmidt H.E., Haug H. Appl. Phys. Lett. 1984. V. 45. N 9. P. 932--934
- Бондаренко О.С. Дипломная работа. М., МГУ, Фак. ВМиК, 1992
- Kovalev V.I. Infrared Phys. 1991. V. 32. N 3. P. 235--244
- Карамзин Ю.Н., Поляков С.В., Трофимов В.А. Препринт ИПМ им.М.В.Келдыша РАН. М., 1990. N 62. 40 C
- Карамзин Ю.Н., Поляков С.В., Трофимов В.А. Письма в ЖТФ. 1992. Т. 18. N 24. С. 38--43
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук