Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Об осцилляциях интенсивности светового импульса, прошедшего сильно поглощающий полупроводниковый кристалл1
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия 
Поступила в редакцию: 2 декабря 1991 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1993 г.
Анализируется временной профиль светового сигнала, прошедшего сильно поглощающий полупроводниковый кристалл в условиях оптической бистабильности, вызванной температурной зависимостью коэффициента поглощения. Обсуждается влияние продольной диффузии на реализацию периодических режимов изменения выходной интенсивности при монотонно возрастающей, а также при треугольной форме входного сигнала. Показано, что диффузия тепла существенно изменяет характеристики колебаний интенсивности. Рассматривается влияние температурной зависимости коэффициента теплопроводности на динамику взаимодействия.
- Lindberg M. et al. Phys. Rev. A. 1986. V. 33. N 1. P. 407--415
- Gibbs H.M. et al. Phys. Rev. A. 1985. V. 32. N 1. P. 692--694
- Есипов С.Э. ЖЭТФ. 1988. Т. 94. N 7. С. 118--129
- Стадник В.А. ФТТ. 1988. Т. 30. N 12. С. 3571--3578
- Карамзин Ю.Н., Поляков С.В., Трофимов В.А. Математическое моделирование. 1990. Т. 2. N 12. С. 17--32
- Rosanov N.N. et al. Phys. Stat. Sol. B. 1988. V. 150. N 2. P. 545--555
- Шалимова В.П. Физика полупроводников. М.: Наука, 1984. 391 с
- Смит Р. Полупроводники: Пер. с англ. М.: Мир, 1982. 420 с
- Koch S.W. et al. Appl. Phys. Lett. V. 45. N 9. P. 932--934
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
