Влияние ионизирующего излучения на механизм токопрохождения в монокристаллах TlInSe2
Мадатов Р.С.1, Наджафов А.И.1, Тагиев Т.Б.1, Газанфаров М.Р.1, Мехрабова М.А.1
1Институт радиационных проблем Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
Email: msrahim@mail.ru
Поступила в редакцию: 5 апреля 2011 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2011 г.
Исследованы температурная зависимость электропроводности и вольт-амперные характеристики монокристаллов TlInSe2 с удельным сопротивлением ~108 Omegacm, облученных gamma-квантами. Установлено, что наблюдаемые аномалии электропроводности при слабых полях и малых дозах облучения связаны с распадом нейтральных комплексов, в состав которых входит междоузельный атом катиона. В сильных электрических полях происходит термополевая ионизация ловушек. Основным механизмом радиационного дефектообразования является образование комплексов [V-InIn+i], [VSe-Se-i] и других со структурными дефектами, характерными для необлученных кристаллов. Определены энергии активации и концентрации ловушек, а также форма потенциальной ямы в области ловушек.
- И.В. Алексеев. ФТП 32, 5, 588 (1998)
- А.У. Шелег, В.Г. Гуртовой, С.Н. Мустафаева, Э.М. Керимова. ФТТ 53, 3, 443 (2011)
- С.Н. Мустафаева, М.М. Асадов, А.А. Исмайлов. ФТТ 51, 11, 2140 (2009)
- D. Muller, G. Eulenberger, H. Hahn, Z. Anorg. Allg. Chem. 438, 258 (1982)
- G. Guseinov, A.M. Ramanzade, E.M. Kerimova, M.Z. Ismailov. Phys. Stat. Sol. 22, K117 (1967)
- S. Bradtmuller, R. Kremer, P. Buttcher. Anorg. Allg. Chem. 620, 1073 (1994)
- Р.С. Мадатов, А.И. Наджафов, Т.Б. Тагиев, М.Р. Газанфаров. Изв. НАН Азерб. Сер. физ-мат. наук. 30, 2, 100 (2010)
- S. Kashida, K. Nakamura, S. Katayama. Solid State Commun. 82, 127 (1992).
- О.М. Алиев, А.И. Наджафов, Т.Ф. Магсудова, П.Г. Рустамов, О.А. Алиева, Н.М. Зейналов. АС СССР N 1199162 (1985)
- М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах. Мир, М. (1973). 416 с
- Я.И. Френкель. Сб. изб. тр. Изд-во АН СССР, М.--Л., (1958). Т. 2. С. 600
- Г.Б. Абдуллаев, А.З. Абасова, А.М. Горшков, Ф.А. Заитов, В.И. Стафеев, Э.Ю. Салаев, Г.М. Шаляпина. ФТТ 16, 6, 1136 (1982)
- O.B. Tagiev, G.H. Kasimova. Phys. Status Solidi A 128, 167 (1981)
- Ya.I. Frenkel. Phys. Rev. 54, 657 (1938)
- Р.С. Мадатов, А.И. Наджафов, В.С. Мамедов, М.А. Мамедов. Изв. НАН Азерб. Сер. физ-мат. наук. 27, 2, 100 (2008)
- В.С. Вавилов, Н.А. Ухин. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах. Атомиздат, М. (1969). 191 с
- А.Н. Георгобиани, В.И. Демин, Е.С. Логазинская. Тр. ФИАН им. П.Н. Лебедева 182, 69 (1987).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.