Вышедшие номера
Влияние ионизирующего излучения на механизм токопрохождения в монокристаллах TlInSe2
Мадатов Р.С.1, Наджафов А.И.1, Тагиев Т.Б.1, Газанфаров М.Р.1, Мехрабова М.А.1
1Институт радиационных проблем Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
Email: msrahim@mail.ru
Поступила в редакцию: 5 апреля 2011 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2011 г.

Исследованы температурная зависимость электропроводности и вольт-амперные характеристики монокристаллов TlInSe2 с удельным сопротивлением ~108 Omegacm, облученных gamma-квантами. Установлено, что наблюдаемые аномалии электропроводности при слабых полях и малых дозах облучения связаны с распадом нейтральных комплексов, в состав которых входит междоузельный атом катиона. В сильных электрических полях происходит термополевая ионизация ловушек. Основным механизмом радиационного дефектообразования является образование комплексов [V-InIn+i], [VSe-Se-i] и других со структурными дефектами, характерными для необлученных кристаллов. Определены энергии активации и концентрации ловушек, а также форма потенциальной ямы в области ловушек.
  1. И.В. Алексеев. ФТП 32, 5, 588 (1998)
  2. А.У. Шелег, В.Г. Гуртовой, С.Н. Мустафаева, Э.М. Керимова. ФТТ 53, 3, 443 (2011)
  3. С.Н. Мустафаева, М.М. Асадов, А.А. Исмайлов. ФТТ 51, 11, 2140 (2009)
  4. D. Muller, G. Eulenberger, H. Hahn, Z. Anorg. Allg. Chem. 438, 258 (1982)
  5. G. Guseinov, A.M. Ramanzade, E.M. Kerimova, M.Z. Ismailov. Phys. Stat. Sol. 22, K117 (1967)
  6. S. Bradtmuller, R. Kremer, P. Buttcher. Anorg. Allg. Chem. 620, 1073 (1994)
  7. Р.С. Мадатов, А.И. Наджафов, Т.Б. Тагиев, М.Р. Газанфаров. Изв. НАН Азерб. Сер. физ-мат. наук. 30, 2, 100 (2010)
  8. S. Kashida, K. Nakamura, S. Katayama. Solid State Commun. 82, 127 (1992).
  9. О.М. Алиев, А.И. Наджафов, Т.Ф. Магсудова, П.Г. Рустамов, О.А. Алиева, Н.М. Зейналов. АС СССР N 1199162 (1985)
  10. М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах. Мир, М. (1973). 416 с
  11. Я.И. Френкель. Сб. изб. тр. Изд-во АН СССР, М.--Л., (1958). Т. 2. С. 600
  12. Г.Б. Абдуллаев, А.З. Абасова, А.М. Горшков, Ф.А. Заитов, В.И. Стафеев, Э.Ю. Салаев, Г.М. Шаляпина. ФТТ 16, 6, 1136 (1982)
  13. O.B. Tagiev, G.H. Kasimova. Phys. Status Solidi A 128, 167 (1981)
  14. Ya.I. Frenkel. Phys. Rev. 54, 657 (1938)
  15. Р.С. Мадатов, А.И. Наджафов, В.С. Мамедов, М.А. Мамедов. Изв. НАН Азерб. Сер. физ-мат. наук. 27, 2, 100 (2008)
  16. В.С. Вавилов, Н.А. Ухин. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах. Атомиздат, М. (1969). 191 с
  17. А.Н. Георгобиани, В.И. Демин, Е.С. Логазинская. Тр. ФИАН им. П.Н. Лебедева 182, 69 (1987).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.