Вышедшие номера
Изменения электросопротивления пленок La0.67Ca0.33MnO3, индуцированные взаимопревращениями включений ферро- и неферромагнитных фаз в их объеме
Бойков Ю.А.1, Лильенфорс Т.2, Олссон Е.2, Клаесон Т.2, Данилов В.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Чалмерский технический университет, Гетерборг, Швеция
Email: yu.boikov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 29 марта 2011 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2011 г.

Значительное (~1.8%) положительное рассогласование в параметрах кристаллических решеток является причиной тетрагонального искажения (a normal /a||~1.04) и уменьшения объема элементарной ячейки пленок (15 nm) La0.67Ca0.33MnO3, выращенных квазикогерентно на поверхности подложки (001)LaAlO3. Пленки состоят из монокристаллических блоков с латеральным размером 30-50 nm. На атомно-гладкой межфазной границе LaAlO3--La0.67Ca0.33MnO3 отсутствуют дислокации несоответствия. При T=4.2 K трансформация включений неферромагнитной фазы в ферромагнитные в постоянном магнитном поле H сопровождается устойчивым снижением электросопротивления rho манганитных пленок во времени t, причем кривая rho(t) хорошо аппроксимируется соотношением rho(t)~rho1(t-t0)1/2, (где t0 --- время установления заданной величины (mu0H=5 T) магнитного поля, rho1 --- коэффициент, не зависящий от H). Магнетокристаллическая анизотропия, возникшая вследствие упругой деформации пленок подложкой, и расслоение электронных фаз являются причинами четко выраженного гистерезиса на зависимостях rho(mu0H,T<100 K), полученных в процессе сканирования mu0H в последовательности 5 T->0->-5 T->0->5 T. При T=50 K и mu0H=0.4 T магнетосопротивление MR=100%·[rho(mu0H)-rho(mu0H=0)]/rho(mu0H=0) пленок LCMO достигает 150%. Финансовая поддержка проведенных исследований частично получена из проекта МНТЦ 3743, проекта РФФИ 11-02-00609а и госконтракта N 02.740.11.0544.
  1. S.S.P. Parkin, K.P. Roche, M.G. Samant, P.M. Rice, R.B. Beyers, R.E. Scheuerlein, E.J. O'Sullivan, S.L. Brown, J. Bucchigano, D.W. Abraham, Y. Lu, M. Rooks, P.L. Trouilloud, R.A. Wanner, W.J. Gallagher. J. Appl. Phys. 85, 5828 (1999)
  2. M. Pannetier, C. Fermon, G. Le Goff, J. Simola, E. Kerr. Science 304, 1648 (2004)
  3. M. Bibes, L.I. Balcells, S. Valencia, J. Fontcuberta, M. Wojcik, E. Jedryka, S. Nadolski. Phys. Rev. Lett. 87, 067210-1 (2001)
  4. N.D. Mathur, P.B. Littlewood. Solid State Commun. 119, 271 (2001)
  5. K. Lai, M. Nakamura, W. Kundhikanjana, M. Kawasaki, Y. Tokura, M.A. Kelly, Z.-X. She. Science 329, 190 (2010)
  6. T.I. Kamins. J. Appl. Phys. 42, 4357 (1971)
  7. C.J. Lu, Z.L. Wang, C. Kwon, Q.X. Jia. J. Appl. Phys. 88, 4032 (2000)
  8. R.W.J. Wyckoff. Crystal structures. 2nd ed. Interscience, N. Y. (1964). V. 2. P. 394
  9. C. Zuccaro, H.L. Berlincourt, N. Klein, K. Urban. J. Appl. Phys. 82, 5695 (1997)
  10. B.C. Chakoumakos, D.G. Scholm, M. Urbanik, J. Luine. J. Appl. Phys. 83, 1979 (1998)
  11. Yu.A. Boikov, R. Gunnarsson, T. Claeson. J. Appl. Phys. 96, 435 (2004)
  12. E.O. Wollan, W.C. Koehler. Phys. Rev. 100, 545 (1955)
  13. G.J. Snyder, R. Hiskes, S. DiCarolis, M.R. Beasley, T.H. Geballe. Phys. rev. B 53, 14 434 (1996)
  14. J.B. Goodenough. Phys. Rev. 100, 564 (1955)
  15. Y. Tomioka, A. Asamitsu, Y. Moritomo, H. Kuwahara, Y. Tokura. Phys. Rev.Lett. 74, 5108 (1995)
  16. G. Xiao, E.J. Mcniff, Jr., G.Q. Gong, A. Gupta, C.L. Canedy, J.Z. Sun. Phys. Rev. B 54, 6073 (1996)
  17. H.S. Wang, E. Wertz, Y.F. Hu, Q. Li. J. Appl. Phys. 87, 6749 (2000)
  18. E.D. Dahlberg, K. Riggs, G.A. Prinz. J. Appl. Phys. 63, 4270 (1988)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.