Особенности индуцированного давлением перехода полупроводник-металл в селениде цинка
Игнатченко О.А.1, Бабушкин А.Н.1
1Уральский государственный университет им. А.М.Горького Екатеринбург
Поступила в редакцию: 1 июля 1993 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1993 г.
- Тонков Е.Ю. Фазовые превращения соединений при высоком давлении. Справочник. Т. 2. М.: Металлургия, 1988. 358 с
- Щенников В.В. Расплавы. 1988. Т. 2. N 2. С. 33--40
- Бабушкин А.Н. ФТТ. 1992. Т. 34. N 6. С. 1647--1649
- Верещагин Л.Ф., Яковлев Е.Н., Степанов Г.Н. Письма в ЖЭТФ. 1972. Т. 18. N 4. С. 823--831
- Babushkin A.N. High Pressure Research. 1992. V. 6. P. 349--356
- Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. М.: Наука, 1977. 672 с
- Гантмахер В.Ф., Левинсон И.Б. Рассеяние носителей тока в металлах и полупроводниках. М.: Наука, 1987. 351 с
- Бацанов С.С. Журн. неорг. химии. 1991. Т. 36. N 9. С. 2243--2250
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук