Вышедшие номера
Экситонные состояния в кристаллах SnX 2
Волошиновский А.С.1
1Львовский национальный университет им. Ивана Франко, Львов, Украина
Поступила в редакцию: 8 июня 1993 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1993 г.

В области края собственного поглощения исследованы спектры отражения кристаллов SnX2 при T=4.2 и 77 K. Структура полос отражения, их поляризация и температурная зависимость позволяют связать особенности спектров в кристаллах SnX2 с возбуждением экситонов малого радиуса. Наблюдаемое расщепление полос интерпретируется как результат влияния кристаллического поля и межионного взаимодейстия. Модель экситона малого радиуса согласуется с механизмом автолокализации экситонов в SnX2.