Вышедшие номера
Экситонные состояния в кристаллах SnX 2
Волошиновский А.С.1
1Львовский национальный университет им. Ивана Франко, Львов, Украина
Поступила в редакцию: 8 июня 1993 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1993 г.

В области края собственного поглощения исследованы спектры отражения кристаллов SnX2 при T=4.2 и 77 K. Структура полос отражения, их поляризация и температурная зависимость позволяют связать особенности спектров в кристаллах SnX2 с возбуждением экситонов малого радиуса. Наблюдаемое расщепление полос интерпретируется как результат влияния кристаллического поля и межионного взаимодейстия. Модель экситона малого радиуса согласуется с механизмом автолокализации экситонов в SnX2.
  1. Boursey E., Rongin J.U. Sol. St. Commun. 1971. V. 9. N 13. P. 1049--1051
  2. Клокишнер С.И., Перлин Ю.Е., Цукерблат Е.С. ФТТ. 1978. Т. 20. N 11. С. 3201--3210
  3. Fukuda A. Phys. Rev. B. 1970. V. 1. N 10. P. 4161--4178
  4. Плеханов В.Г., Шерман А.В. Тр. ИФ АН ЭССР. 1976. Т. 45. С. 67--88
  5. Kande J. J. Phys. Soc. Jap. 1976. V. 41. N 3. P. 942--949
  6. Solau A.M. Sol. St. Commun. 1980. V. 33. P. 423--425
  7. Fujita M., Nakagava H., Fukuj K. et al. J. Phys. Soc. Jap. 1991. V. 60. N 12. P. 4393--4394
  8. Wada K. Sci. Light. 1977. V. 26. N 2. P. 77--97
  9. Лийдья Г.Г., Плеханов В.Г. Опт. и спектр. 1972. Т. 32. N 1. С. 86--91
  10. Лийдья Г.Г., Добржанский Г.Ф., Плеханов В.Г. Тр. ИФ АН ЭССР. 1972. Т. 39. С. 64--80
  11. Волошиновский А.С., Мягкота С.В., Пидзырайло Н.С., Хапко З.А. Опт. и спектр. 1982. Т. 52. N 4. С. 760--762
  12. Пидзырайло Н.С., Волошиновский А.С., Станько Н.Г., Хапко З.А. ФТТ. 1982. Т. 24. N 4. С. 1247--1249

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.