Влияние приповерхностного переходного слоя на экситонные спектры наклонного отражения света кристаллов CdSe
Батырев А.С.1, Карасенко Н.В.1, Селькин А.В.1
1Санкт-Петербургский государственный университет
Поступила в редакцию: 9 июля 1993 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1993 г.
Исследован характер изменения спектров наклонного отражения света от кристаллов CdSe (T=4.2 K) в области экситонного резонанса A(n=1) в зависимости от продолжительности электронной бомбардировки поверхности образцов. По мере увеличения толщины приповерхностного переходного слоя, обусловленного электронной бомбардировкой, наблюдается изменение формы p-поляризованного спектра наклонного отражения, антикоррелирующее с изменением формы спектра при нормальном падении света.
- Киселев В.А., Новиков Б.В., Чередниченко А.Е. Экситонная спектроскопия приповерхностной области полупроводников. Л., ЛГУ, 1987. 161 c
- Певцов А.Б., Селькин А.В. ФТТ. 1981. Т. 23. N 9. C. 2814--2819
- Певцов А.Б., Селькин А.В. ЖЭТФ. 1982. Т. 83. N 2(8). C. 516--531
- Hopfield J.J., Ihomas D.G. Phys. Rev. 1963. V. 132. N 2. P. 563--572
- Ахмедиев Н.Н., Сажин М.И., Селькин А.В. ЖЭТФ. 1989. Т. 96. N 2(8). C. 720--734
- Батырев А.С., Новиков Б.В., Чередниченко А.Е. ФТТ. 1981. Т. 23. N 10. C. 2989--2997
- Evangelisti F., Frova A., Pattela F. Phys. Rev. 1974. V. 10. N 10. P. 4253--4261
- Kiselev V.A., Razbirin B.S., Uraltsev I.N. Phys. Stat. Sol.(b). 1975. V. 72. N 1. P. 161--172
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
