Вышедшие номера
Об особенностях распространения локальных поверхностных фононных мод в гетероструктурах CaF 2/Si(110)
Александров В.В.1, Потапова Ю.Б.1, Дьяконов А.М.1, Яковлев Н.Л.1, Соколов Н.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 5 июля 1993 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1993 г.

Методом мандельштам-бриллюэновской спектроскопии изучены спектры длинноволновых фононных возбуждений поверхности в структурах CaF2/Si(110) при изменении толщины слоя от 0 до 200 нм для различных азимутальных направлений в плоскости (110). Установлено, что азимутальная зависимость скорости релеевской моды для пленки толщины 10 нм качественно воспроизводит ход кривой для свободной поверхности Si(110) с 2.5% уменьшением самих скоростей. В пленках больших толщин (100-200 нм) азимутальная зависимость скорости релеевской моды и первой моды пленки становится близкой к характерным зависимостям материала пленки, причем в окрестности направления [110] первая мода пленки асимптотически описывается псевдоповерхностной акустической модой материала подложки. Сопоставление данных наблюдений с теоретическими значениями скорости поверхностных акустических мод наблюдений позволяет также сделать вывод о достаточной структурной однородности по глубине исследовавшихся структур CaF2/Si(110).