Вышедшие номера
Гелиевая дефектоскопия и взаимодействие гелия с ионами кристаллов фторида лития
Купряжкин А.Я.1, Куркин А.Ю.1
1Уральский государственный технический университет Екатеринбург
Поступила в редакцию: 11 июня 1993 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1993 г.

Методом гелиевой дефектоскопии определена температурная зависимость концентрации анионных вакансий в LiF c*= ( 1.22-1.98-0.78 )· 1021exp =<ft -(1.15± 0.08) эв kT , см-3. Показано, что полученное в работе аномально низкое (-0.32 эВ) значение энергии взаимодействия гелия с исследованными кристаллами обусловлено химическим взаимодействием атома гелия с ближайшим окружением катионов лития с энергией -0.45 эВ. Проведено сравнение результатов работы с экспериментальными и теоретическими данными других авторов.