Вышедшие номера
Электрически активные дефекты в нелегированных и легированных ионами Al и Ga кристаллах Bi 12SiO 20
Панченко Т.В.1, Снежной Г.В.1
1Днепропетровский государственный университет
Поступила в редакцию: 26 мая 1993 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1993 г.

Методами токов термостимулированной деполяризации исследованы электрически активные дефекты в нелегированных и легированных ионами Al и Ga кристаллах Bi12 SiO20. Определены энергия активации и величина заряда, локализованного на дефектах в процессах поляризации.