Вышедшие номера
Динамика формирования мозаичной структуры пористого кремния при длительном анодном травлении в электролитах с внутренним источником тока
Тыныштыкбаев К.Б.1, Рябикин Ю.А.1, Мить К.А.1, Ракыметов Б.А.1, Айтмукан Т.1
1Физико-технический институт МОН РК, Алма-Ата, Казахстан
Email: kt011@sci.kz
Поступила в редакцию: 9 августа 2010 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2011 г.

При длительном анодном травлении p-Si (100) в электролитах с внутренним источником тока наблюдается спонтанное самоформирование мозаичной структуры пористой поверхности в виде островков окисленных нанокристаллитов por-Si, разделенных кремниевыми выступами. Процесс спонтанного формирования мозаичной структуры por-Si происходит в результате релаксации упругонапряженного слоя пористой поверхности. Самоорганизация мозаичной структуры поверхности por-Si, размеры островков и период их расположения определяются совокупностью ряда факторов, возникающих в сложной гетерофазной системе электролит/por-Si/c-Si/ в процессе травления: пространственно-временным распределением точечных дефектов междоузлий ISi и вакансий VSi в приповерхностной области c-Si, возникновением капиллярно-флуктуационных сил на границе раздела электролит/por-Si/c-Si/, наличием сил упругой деформации из-за рассогласованности параметров решеток окисленных нанокристаллитов por-Si и c-Si матрицы. Условия проявления этих сил зависят от самосогласованных параметров режимов травления сложной гетерофазной электрохимической системы электролит/por-Si/c-Si/ с внутренним источником тока, включая характеристики электродов и параметры ячейки. Работа выполнена при финансовой поддержке МОН РК (грант N 3.8.2/257) программы фундаментальных исследований.