Динамика формирования мозаичной структуры пористого кремния при длительном анодном травлении в электролитах с внутренним источником тока
Тыныштыкбаев К.Б.1, Рябикин Ю.А.1, Мить К.А.1, Ракыметов Б.А.1, Айтмукан Т.1
1Физико-технический институт МОН РК, Алма-Ата, Казахстан
Email: kt011@sci.kz
Поступила в редакцию: 9 августа 2010 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2011 г.
При длительном анодном травлении p-Si (100) в электролитах с внутренним источником тока наблюдается спонтанное самоформирование мозаичной структуры пористой поверхности в виде островков окисленных нанокристаллитов por-Si, разделенных кремниевыми выступами. Процесс спонтанного формирования мозаичной структуры por-Si происходит в результате релаксации упругонапряженного слоя пористой поверхности. Самоорганизация мозаичной структуры поверхности por-Si, размеры островков и период их расположения определяются совокупностью ряда факторов, возникающих в сложной гетерофазной системе электролит/por-Si/c-Si/ в процессе травления: пространственно-временным распределением точечных дефектов междоузлий ISi и вакансий VSi в приповерхностной области c-Si, возникновением капиллярно-флуктуационных сил на границе раздела электролит/por-Si/c-Si/, наличием сил упругой деформации из-за рассогласованности параметров решеток окисленных нанокристаллитов por-Si и c-Si матрицы. Условия проявления этих сил зависят от самосогласованных параметров режимов травления сложной гетерофазной электрохимической системы электролит/por-Si/c-Si/ с внутренним источником тока, включая характеристики электродов и параметры ячейки. Работа выполнена при финансовой поддержке МОН РК (грант N 3.8.2/257) программы фундаментальных исследований.
- Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, С.В. Иванов, Б.Я. Мельцер, М.В. Максимов, П.С. Копьев, Д. Бимберг, Ж.И. Алфёров. УФН 166, 423 (1996)
- Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, В.А. Щукин, П.С. Копьев, Ж.И. Алфёров, Д. Бимберг. ФТП 32, 385 (1998)
- В.И. Емельянов. Квантовая электрон. 36, 489 (2006)
- А.Ф. Андреев, А.Я. Паршин. ЖЭТФ 75, 1511 (1978)
- В.И. Марченко, А.Я. Паршин. ЖЭТФ 79, 257 (1980)
- В.И. Марченко. Письма в ЖЭТФ 33, 397 (1981)
- А.Ф. Андреев, Ю.А. Косевич. ЖЭТФ 81, 1435 (1981)
- Н.Н. Герасименко, К.К. Джаманбалин, Н.А. Медетов. Самоорганизационные наноразмерные структуры на поверхности и в объеме полупроводников. Алем, Алматы (2002). 192 с
- В.И. Емельянов, В.В. Игумнов, В.В. Старков. Письма в ЖТФ 30, 10, 83 (2004)
- А.В. Климов, А.И. Григорьев. ЖТФ 79, 10, 14 (2009).
- R.L. Smith, S.D. Collins. J. Appl. Phys. 71, R1 (1992)
- А.И. Белогорохов,В.А. Караванский, Л.И. Белогорохова. ФТП 30, 1177 (1996)
- A. Balance. Phys. Rev. B 52, 8323 (1995)
- Д.Н. Горячев, Л.В. Беляков, О.М. Сресели. ФТП 37, 494 (2003)
- К.Б. Тыныштыкбаев, Ю.А. Рябикин, С.Ж. Токмолдин, Т. Айтмукан, Б.А. Ракыметов, Р.Б. Верменичев. Письма в ЖТФ 36, 11, 104 (2010)
- А.И. Белогорохов, Л.И. Белогорохова, В.А. Караванский, А.Н. Образцов. ФТП 28, 1424 (1994)
- В.И. Емельянов, К.И. Еремин, В.В. Старков. Квантовая электрон. 32, 473 (2002)
- К.Н. Ельцов, В.А. Караванский, В.В. Мартынов. Письма в ЖЭТФ 63, 106 (1996)
- Д.Н. Горячев, Л.В. Беляков, О.М. Сресели. ФТП 38, 739 (2004)
- В.А. Караванский, М.А. Качалов, А.П. Маслов, Ю.Н. Петров, В.Н. Селезнев, А.О. Шувалов. Письма в ЖЭТФ 57, 229 (1993)
- Г. Полисский, О.М. Сресели, А.В. Андрианов, Ф. Кох. ФТП 31, 365 (1997).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук