Вышедшие номера
Влияние облучения на дефектную структуру графита
Ахвледиани И.Г.1, Калабегишвили Т.Л.1, Таркашвили Ц.Т.1, Цибахашвили Н.Я.1
1Институт физики АН Грузии Тбилиси
Поступила в редакцию: 17 июня 1991 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1993 г.

Методом ЭПР-поглощения исследована дефектная структура облученного в реакторе графита марки РБМК-2М. Проведено разделение парамагнитных центров (ПЦ), находящихся в слоях (делокализованные ПЦ) и между слоями (локализованные ПЦ) графита. Установлено, что если в процессе нейтронного облучения графита в решетку внедряется тритий отдачи, то дефектная структура существенно меняется, что, следовательно, отражается и на ходе восстановительных процессов матрицы. Анализ экспериментальных данных проделан по модифицированной модели обменного взаимодействия.