Вышедшие номера
Релаксация напряжений с образованием дислокаций и трещин при формировании контакта между разнородными кристаллами
Мацокин В.П.1
1Харьковский государственный университет
Поступила в редакцию: 1 июля 1992 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1993 г.

Исследованы две возможности релаксации напряжений, возникающих в диффузионной зоне при припекании кристаллов из различных веществ, --- образование дислокаций и трещин. Обнаружены специфические дислокационные структуры (розетки), формирующиеся вблизи контакта дисперсных частиц с плоской поверхностью монокристалла. Прослежены закономерности возникновения трещин под контактом и вне его, высказаны соображения о возможных причинах их образования. Проанализированы распределение напряжений под контактом и в непосредственной близости от него, геометрия и тип возникающих вследствие диффузионных напряжений дислокаций.
  1. Гегузин Я.Е. Диффузионная зона. М., 1979. 343 с
  2. Гегузин Я.Е., Мацокин В.П., Витарс К. ДАН СССР. 1977. Т. 237. N 1. С. 82--85
  3. Воробьев А.А. Механические и тепловые свойства щелочно-галоидных монокристаллов. М., 1968. 269 с
  4. Боярская Ю.С. Деформирование кристаллов при испытаниях на микротвердость. Кишинев, 1972. 233 с
  5. Шаскольская М.П., Ван Янь Вэнь, Гу Шу Чжао Кристаллография. 1961. Т. 6. В. 4. С. 605--613
  6. Gilman J.J. Progress in ceramis science. N. Y., 1961. V. 1. P. 146--199
  7. Peach M., Koehler J.S. Phys. Rev. 1950. V. 80. N 2. P. 436--441
  8. Тимошенко С.П., Гудьер Дж. Теория упругости: Пер. с англ. М., 1979. 560 с
  9. Гегузин Я.Е., Дзюба А.С., Инденбом В.Л., Овчаренко Н.Н. Кристаллография. 1973. Т. 18. N 4. С. 800--806
  10. Атомный механизм разрушения: Пер. с англ. М., 1963. 660 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.