В модели сильной связи рассмотрен случай слабокомпенсированного полупроводника с равномерным распределением примесных центров донорного типа. Изучены плотность состояний в примесной зоне и концентрационные зависимости в окрестности перехода Мотта. В качестве примесных потенциалов взяты экранированные кулоновские потенциалы. Считается, что основной вклад в экранирование вносят свободные электроны. Показано, что это условие приводит к скачку концентрации электронов проводимости при переходе металл-диэлектрик с диэлектрической стороны. Величина скачка концентрации электронов проводимости зависит от эффективности механизмов экранирования. В случае модели Пайнса величина скачка равна концентрации доноров, т.е. все доноры ионизируются одновременно. В случае же, когда механизмы экранирования менее эффективны, величина скачка концентрации электронов проводимости меньше концентрации доноров. При этом на металлической стороне перехода Мотта существуют связанные состояния электронов на донорах.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.