Вышедшие номера
Спектроскопия поверхностных состояний в GaAs посредством акустоэлектрического эффекта
Островский И.В.1, Сайко С.В.1
1Киевский государственный университет им.Т.Г.Шевченко
Поступила в редакцию: 10 декабря 1992 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1993 г.

Исследованы поверхностные уровни в гетероструктуре i--GaAs-эпитаксиальный слой GaAs посредством поперечного акустоэлектрического эффекта в слоистой системе LiNbO3--GaAs. Определены эффективная глубина залегания и эффективное сечение захвата электронов поверхностными состояниями. Проведен теоретический анализ релаксации ''ловушечной'' составляющей поперечного акустоэлектрического напряжения. Показано, что при определенных условиях подзона поверхностных уровней может быть заменена одним эффективным энергетическим состоянием.
  1. Бехштедт Ф., Эндерлайн Р. Поверхности и границы раздела полупроводников. М.: Мир, 1990. 484 с
  2. Бьюб Р. Фотопроводимость твердых тел. М.: ИЛ, 1962. 558 с
  3. Lagowski J., Edelman P., Morawski A. Semicond. Sci. and Technol. 1992. V. 7. N 1A. P. 211--214
  4. Аксенов Л.В., Аристов В.А., Рау Э.И., Фролов К.К. Изв. РАН. Сер. физ. 1992. Т. 56. N 3. С. 83--89
  5. Гуляев Ю.В., Мороз А.И., Ползикова М.И. ФТП. 1979. Т. 13. N 7. С. 1441--1443
  6. Громашевский В.Л., Кундзич А.Г. УФЖ. 1984. Т. 29. N 4. C. 561--564
  7. Davari B., Das P. J. Appl. Phys. 1983. V. 53. N 5. P. 3668--3672
  8. Benabdeslem M., Ostrowski I. Rev. Phys. Appl. 1990. V. 25. N 10. P. 1005--1010
  9. Tabib-Azar M., Hajjar F. IEEE. 1989. V. 36. N 6. P. 1189--1195
  10. Brattain W.H., Garret G.G. SSTY. 1956. V. 35. P. 1041--1049
  11. Brattain W.H., Garret G.G. Phys. Rev. 1955. V. 99. P. 376--387
  12. Ogata J., Ohkubo N., Matsumoto S. Proc. Int. Conf. Sci. and Technol. Defect Contr. Semicond. Yokohama, 1990. V. 1. P. 829--834

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.