Спектроскопия поверхностных состояний в GaAs посредством акустоэлектрического эффекта
Островский И.В.1, Сайко С.В.1
1Киевский государственный университет им.Т.Г.Шевченко
Поступила в редакцию: 10 декабря 1992 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1993 г.
Исследованы поверхностные уровни в гетероструктуре i-GaAs-эпитаксиальный слой GaAs посредством поперечного акустоэлектрического эффекта в слоистой системе LiNbO3-GaAs. Определены эффективная глубина залегания и эффективное сечение захвата электронов поверхностными состояниями. Проведен теоретический анализ релаксации ''ловушечной'' составляющей поперечного акустоэлектрического напряжения. Показано, что при определенных условиях подзона поверхностных уровней может быть заменена одним эффективным энергетическим состоянием.
- Бехштедт Ф., Эндерлайн Р. Поверхности и границы раздела полупроводников. М.: Мир, 1990. 484 с
- Бьюб Р. Фотопроводимость твердых тел. М.: ИЛ, 1962. 558 с
- Lagowski J., Edelman P., Morawski A. Semicond. Sci. and Technol. 1992. V. 7. N 1A. P. 211--214
- Аксенов Л.В., Аристов В.А., Рау Э.И., Фролов К.К. Изв. РАН. Сер. физ. 1992. Т. 56. N 3. С. 83--89
- Гуляев Ю.В., Мороз А.И., Ползикова М.И. ФТП. 1979. Т. 13. N 7. С. 1441--1443
- Громашевский В.Л., Кундзич А.Г. УФЖ. 1984. Т. 29. N 4. C. 561--564
- Davari B., Das P. J. Appl. Phys. 1983. V. 53. N 5. P. 3668--3672
- Benabdeslem M., Ostrowski I. Rev. Phys. Appl. 1990. V. 25. N 10. P. 1005--1010
- Tabib-Azar M., Hajjar F. IEEE. 1989. V. 36. N 6. P. 1189--1195
- Brattain W.H., Garret G.G. SSTY. 1956. V. 35. P. 1041--1049
- Brattain W.H., Garret G.G. Phys. Rev. 1955. V. 99. P. 376--387
- Ogata J., Ohkubo N., Matsumoto S. Proc. Int. Conf. Sci. and Technol. Defect Contr. Semicond. Yokohama, 1990. V. 1. P. 829--834
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук