Исследовано поведение магнитосопротивления HgX в области фазовых переходов полупроводник-металл, которые происходят при изменении внешнего давления, создаваемого с помощью алмазных камер. Обнаружено изменение знака эффекта магнитосопротивления, связанное с сильным изменением подвижности носителей заряда при фазовых переходах.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.