Изучено влияние неизоэлектронных примесей Cd, Ga, In, Tl, Sb, Bi и Mn на температуру сегнетоэлектрического фазового перехода (ФП), индуцированного в кристаллах PbTe_1-xS_x и Pb_1-xGe_xTe нецентральными примесями (НП) S и Ge. Показано, что подобно влиянию беспорядка замещения введение в образцы неизоэлектронных примесей понижает температуру ФП T_c, причем влияние заряженных примесей оказывается более сильным по сравнению с неэлектроактивными примесями. Понижение T_c объясняется влиянием на упорядочение дипольных моментов НП случайных электрических и деформационных полей, создаваемых неизоэлектронными примесями. Величина конкретного эффекта различна для каждой примеси и определяется ее зарядовым состоянием, геометрическими размерами и положением в решетке. Показано, что изучение влияния отклонения от стехиометрии на T_c в легированных образцах позволяет получить более детальную информацию о микроскопическом состоянии примеси в кристалле.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.