Вышедшие номера
Влияние легирующих примесей на сегнетоэлектрические фазовые переходы в PbTe1-xSx и Pb1-xGexTe
Лебедев А.И., Случинская И.А.
Выставление онлайн: 17 февраля 1993 г.

Изучено влияние неизоэлектронных примесей Cd, Ga, In, Tl, Sb, Bi и Mn на температуру сегнетоэлектрического фазового перехода (ФП), индуцированного в кристаллах PbTe1-xSx и Pb1-xGexTe нецентральными примесями (НП) S и Ge. Показано, что подобно влиянию беспорядка замещения введение в образцы неизоэлектронных примесей понижает температуру ФП Tc, причем влияние заряженных примесей оказывается более сильным по сравнению с неэлектроактивными примесями. Понижение Tc объясняется влиянием на упорядочение дипольных моментов НП случайных электрических и деформационных полей, создаваемых неизоэлектронными примесями. Величина конкретного эффекта различна для каждой примеси и определяется ее зарядовым состоянием, геометрическими размерами и положением в решетке. Показано, что изучение влияния отклонения от стехиометрии на Tc в легированных образцах позволяет получить более детальную информацию о микроскопическом состоянии примеси в кристалле.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.