Вычислена вероятность связывания свободных электрона и дырки в экситон Ванье-Мотта в присутствии сильного магнитного поля. Показано, что при фиксированных значениях энергии суммарного и относительного движения электрона и дырки в начальном состоянии вероятность связывания растет с ростом величины магнитного поля. Расчеты выполнены для параметров кристалла InSb.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.