Исследовано влияние термоциклирования на структуру края собственного поглощения в электронно-проводящем GaAs. Обнаружен сдвиг края фундаментальной полосы поглощения в сторону меньших энергий. Показано, что величина этого сдвига зависит от режима термоциклирования. Определены значения энергии наблюдаемого порога поглощения в исходных и термоциклированных образцах GaAs.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.