В камерах высокого давления из синтетических алмазов по сопротивлению и термоэдс исследованы фазовые переходы полупроводник-металл, вызванные структурными превращениями, при давлениях до 20 ГПа. Замещение Hg атомами Mg (x<0.1) не влияет на давление перехода в полупроводниковую фазу со структурой киновари B9, тогда как замещение Se атомами S (0.1<x<0.5) снижает его. Измерено магнитосопротивление исходной полуметаллической, полупроводниковой и металлической (выше 9+1 ГПа) фаз у сплавов HgMgTe, которое позволяет качественно оценить изменение подвижности носителей заряда при фазовых переходах.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.