Проведено экспериментальное исследование подвижности дислокаций в кристаллах CsI и LiF под действием постоянного магнитного поля (B=0.01/ 1.5 Тл) в отсутствие механического нагружения. Средний пробег дислокации l оказался линейно зависимым от времени t выдержки образцов в магнитном поле и от квадрата напряженности этого поля. Понижение температуры от 293 до 77 K уменьшает средний пробег l на 10-30%. Получена монотонно нарастающая зависимость плотности подвижных дислокаций rho_п от времени "намагничивания" и магнитной индукции. В кристаллах CsI величина rho_п достигала 80% плотности свежевведенных дислокаций. Из сопоставления экспериментальных кривых l(t,B) и rho_п(t,B) с ранее полученными феноменологическими зависимостями определено соотношение между реальной и кажущейся средними скоростями движения дислокаций.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.