Рассмотрены два механизма образования крупномасштабных флуктуаций зонной структуры, приводящих к инверсии термов, образующих зону проводимости и валентную зону в узкощелевых полупроводниках типа A⁴B⁶. Показано, что в таких материалах деформационное поле точечных дефектов обусловливает инверсию зон в окрестности дефектов. Это приводит к образованию дополнительного резонансного уровня точечного дефекта, энергия которого в первом приближении не зависит от типа дефекта и изменяется коррелированно с энергией основных экстремумов зон в L-точке. Показано, что наличие сопровождающихся инверсией зон крупномасштабных флуктуаций состава в твердых растворах на основе полупроводников типа A⁴B⁶ обусловливает ряд экспериментальных эффектов, связывавшихся ранее с проявлением глубоких уровней в этих соединениях.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.