Методом Оже-спектроскопии изучено распределение компонентов по глубине пленок, полученных на слюде термическим распылением шихты бинарного соединения и твердого раствора, легированных индием: Sn_1-xIn_xTe и (Pb_zSn_1-z)_1-xIn_xTe. Обнаружено обогащение In и Te приповерхностного слоя пленки при одновременном уменьшении Sn (и Рb). Сверхпроводящие параметры пленок оказались близки к оптимальным для объемных образцов из-за переменного по глубине пленки соотношения между концентрациями In, Рb и Te, определяющими СП свойства материала.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.