Издателям
Вышедшие номера
Диффузия в пористом карбиде кремния
Панкратов Е.Л.1, Мынбаева М.Г.2, Мохов Е.Н.2, Мынбаев К.Д.2
1Нижегородский государственный архитектурно-строительный университет, Нижний Новгород, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: elp2004@mail.ru
Поступила в редакцию: 25 августа 2010 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2011 г.

На примере диффузии ванадия и эрбия в пористом карбиде кремния проведено моделирование модификации пористой структуры в полупроводнике при термическом отжиге и рассмотрено влияние этой модификации на диффузию примесей. Сопоставление расчетных и экспериментальных профилей распределения эрбия и ванадия в пористом карбиде кремния показывает, что учет модификации пористой структуры, происходящей путем перераспределения вакансий, позволяет удовлетворительно описать диффузию в пористом полупроводнике. Работа выполнена при поддержке гранта Президента России (проект N МК-548.2010.2) и внутривузовского гранта Нижегородского архитектурно-строительного госуниверситета в 2009 г. (приказ N 241).
  1. П.Г. Черемской, В.В. Слезов, В.И. Бетехтин. Поры в твердом теле. Энергоатомиздат, М. (1990). С. 274
  2. Е.В. Астрова, В.Б. Воронков, И.В. Грехов, А.В. Нащекин, А.Г. Ткаченко. Письма в ЖТФ 25, 23, 72 (1999).
  3. S.I. Soloviev, T.S. Sudarshan. In: Porous silicon carbide and gallium nitride: epitaxy, catalysis, and biotechnology applications / Eds R.M. Feenstra, C.E.C. Wood. John Wiley and Sons, London (2008). P. 31
  4. J. Schmelzer, J. Moller, V.V. Slezov, I. Gutzow, R. Pascova. Quimica Nova 21, 529 (1998)
  5. G. Muller, K. Brendel. Phys. Status Solidi A 182, 313 (2000)
  6. N. Ott, M. Nerding, G. Muller, K. Brendel, H.P. Strunk. J. Appl. Phys. 95, 497 (2004)
  7. V. Depauw, I. Gordon, G. Beaucarne, J. Poortmans, R. Mertens, J.-P. Celis. J. Appl. Phys. 106, 033 516 (2009)
  8. J. Salonen, E. Makila, J. Riikonen, T. Heikkila, V.-P. Lehto. Phys. Status Solidi A 206, 1313 (2009)
  9. J. Bai, G. Dhanaraj, P. Gouma, M. Dudley, M. Mynbaeva. Mater. Sci. Forum 457--460, 1479 (2004)
  10. M. Mynbaeva, A. Lavrent'ev, I. Kotousova, A. Volkova, K. Mynbaev, A. Lebedev. Mater. Sci. Forum 483--485, 269 (2005)
  11. М.Г. Мынбаева, А.А. Лаврентьев, Е.Н. Мохов, К.Д. Мынбаев. Письма в ЖТФ 34, 17, 13 (2008)
  12. Yu.A. Vodakov, E.N. Mokhov. Inst. Phys. Conf. Ser. 137, 197 (1994)
  13. Y. Gao, S.I. Soloviev, T.S. Sudarshan. J. Appl. Phys. 83, 905 (2003)
  14. М.Г. Мынбаева, Д.А. Бауман, К.Д. Мынбаев. ФТТ 47, 1571 (2005)
  15. M. Kitayama, T. Narushima, W.C. Carter, R.M. Cannon, A.M. Glaeser. J. Am. Ceram. Soc. 83, 2561 (2000); M. Kitayama, T. Narushima, A.M. Glaeser. J. Am. Ceram. Soc. 83, 2572 (2000)
  16. З.Ю. Готра. Технология микроэлектронных устройств. Радио и связь, М. (1991). 528 с
  17. Е.И. Зорин, П.В. Павлов, Д.И. Тетельбаум. Ионное легирование полупроводников, Энергия, М. (1975). 130 с
  18. H. Ryssel, I. Ruge. Ion implantation. B.G. Teubner, Stuttgart (1978). 360 p
  19. Ю.Д. Соколов. Прикл. механика 1, 23 (1955)
  20. E.L. Pankratov. J. Appl. Phys. 103, 064 320 (2008)
  21. E.L. Pankratov. Eur. Phys. J. B 57, 251 (2007)
  22. E.L. Pankratov. Mod. Phys. Lett. B 22, 2779 (2008)
  23. S.A. Reshanov, V.P. Rastegaev. Diam. Relat. Mater. 10, 2035 (2001).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.