Изменение спектра оптического пропускания эпитаксиальных пленок Hg1-xCdxTe при воздействии магнитного поля
Бродовой А.В.1, Бунчук С.Г.2, Цибрий З.Ф.2
1Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Email: S-bunchuk@mail.ru
Поступила в редакцию: 15 июня 2010 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2011 г.
Проведено экспериментальное исследование спектров оптического пропускания эпитаксиальных слоев Hg1-xCdxTe с градиентом ширины запрещенной зоны. Показана возможность трансформации вида спектров после экспонирования образцов в однородном магнитном поле. Вероятной причиной этого эффекта является зависимость намагниченности пленок Hg1-xCdxTe от градиента состава твердого раствора.
- З.Ф. Ивасив, Ф.Ф. Сизов, В.В. Тетеркин. Докл. НАН Украины 11, 92 (1999)
- В.В. Тетеркин, З.Ф. Ивасив, Ф.Ф. Сизов. УФЖ 44, 9, 1128 (1999).
- А.В. Бродовой, В.А. Бродовой, В.Г. Колесниченко, В.В. Скороход. УФМ 2, 265 (2001)
- Б.С. Бокштейн, Ч.П. Копецкий, Л.С. Швиндлерман. Термодинамика и кинетика границ зерен в металлах. Металлургия, М. (1986). 224 с
- Л.А. Фальковский, А.В. Бродовой, Г.В. Лашкарев. ЖЭТФ 80, 6, 334 (1981)
- J.R. Lowney, D.G. Seiler, C.L. Litter, I.I. Yoon. J. Appl. Phys. 71, 1253 (1992)
- J.L. Schmit. J. Appl. Phys. 41, 7, 2876 (1970)
- A. Rogalski. Infrared detectors. Gordon and Breach, the Nederlands (2000). 681 p
- Г.В. Лашкарев, А.В. Бродовой, М.В. Радченко, А.Л. Мирец, Е.С. Паренская, М.С. Никитин, Ю.И. Растегин, С.П. Колесник. ФТП 26, 10, 1768 (1992)
- Г.В. Лашкарев, А.В. Бродовой, А.Л. Мирец, С.П. Колесник, Г.А. Зыков, М.С. Никитин. ФТП 27, 8, 1381 (1993)
- Я.И. Френкель. В кн.: Введение в теорию металлов. ГИФМЛ, М. (1958). С. 234
- П.И. Баранский, В.П. Клочков, И.В. Потыкевич. Полупроводниковая электроника. Справочник. Наук. думка, Киев. (1975). 682 с
- З.Ф. Ивасив. Исследование влияния градиента состава и дефектов решетки на оптические, фотоэлектрические свойства и механизмы переноса заряда в твердых растворах HgCdTe и фоточувствительных структурах на их основе. Автореф. канд. дис. Ин-т физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева НАН Украины, Киев (2000). 18 с
- A.V. Brodovoi, V.G. Kolesnihenko, V.V. Skorokhod, V.A. Brodovoi. Proc. SPIE. Mater. Sci. Mater. Propeties Infrared Optoelectron. 4355, 211 (2000).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
