Вышедшие номера
Экспериментально-теоретическое исследование процесса формирования системы кислородосодержащий преципитат--дислокационные петли в кремнии
Гольдштейн Р.В.1, Меженный М.В.2, Мильвидский М.Г., Резник В.Я.2, Устинов К.Б.1, Шушпанников П.С.1
1Институт проблем механики им. А.Ю. Ишлинского РАН, Москва, Россия
2Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "Гиредмет", Москва, Россия
Email: goldst@ipmnet.ru
Поступила в редакцию: 24 июня 2010 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2011 г.

Рассмотрена модель когерентного и некогерентного кислородосодержащего преципитата, образующегося в анизотропном кристалле кремния в результате распада пересыщенного твердого раствора кислорода. На основе классического подхода Эшелби определены напряжения, действующие внутри и вне преципитата. Предложен критерий зарождения дислокации несоответствия и начала движения полной дислокационной петли внедрения, лежащей в плоскости преципитата. В рамках предложенных модели преципитата и критериев получены зависимости радиуса преципитата, при котором происходит образование дислокации несоответствия и начала движения полной дислокационной петли внедрения, при приложении к образцу внешней нагрузки. Проведено сопоставление полученных результатов с имеющимися экспериментальными данными. Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (проект N 08-02-01080-a).
  1. R. Falster. Semiconductor fabtech. 13th ed. ICG Publ., London (2001). P. 187
  2. В.Т. Бублик, С.Ю. Мацнев, К.Д. Щербачев, М.В. Меженный, М.Г. Мильвидский, В.Я. Резник. ФТТ 45, 1825 (2003)
  3. М.В. Меженный, М.Г. Мильвидский, В.Ф. Павлов, В.Я. Резник. ФТТ 44, 1230 (2002)
  4. A. Bourret, J. Thibault-Desseaux, D.N. Seidman. J. Appl. Phys. 55, 825 (1984)
  5. T.Y. Tan, W.K. Tice. Phil. Mag. 34, 615 (1976)
  6. А.Л. Колесникова, А.Е. Романов, В.В. Чалдышев. ФТТ 49, 633 (2007)
  7. Дж. Эшелби. В кн.: Континуальная теория дислокаций. ИЛ, М. (1963). С. 103
  8. T. Mura. Micromechanics of defects in solids. Martinus Nifhoff Publ., Dorderchet (1987). 588 p
  9. A.D. Andreev, J.R. Downes, D.A. Faux, E.P. O'Reilly. J. Appl. Phys. 86, 297 (1999)
  10. И.М. Лифшиц, Л.Н. Розенцвейг. ЖЭТФ 17, 783 (1947)
  11. R.R. Castles, T. Mura. J. Elast. 15, 27 (1985)
  12. J.J. Wortman, R.A. Evans. J. Appl. Phys. 36, 153 (1964)
  13. L. Levien, C.T. Prewitt, D.J. Weidner. Am. Mineralog. 65, 920 (1980)
  14. Ж. Фридель. Дислокации. Мир, М. (1967). 644 с
  15. Р.В. Гольдштейн, К.Б. Устинов, М.В. Меженный, В.Я. Резник. В сб.: Материалы 6-й Междунар. конф. "Рост монокристаллов и тепломассоперенос" (ICSC-05). Обнинск, Россия (2005). С. 656
  16. Р.В. Гольдштейн, К.Б. Устинов, П.С. Шушпанников, М.В. Меженный, М.Г. Мильвидский, В.Я. Резник. Препринт ИПМех РАН N 808. M. (2007). 30 c
  17. Р.В. Гольдштейн, К.Б. Устинов, П.С. Шушпанников, М.В. Меженный, М.Г. Мильвидский, В.Я. Резник. Письма в ЖТФ 34, 32 (2008)
  18. Дж. Хирт, И. Лоте. Теория дислокаций. Атомиздат, М. (1972). 599 с
  19. К. Теодосиу. Упругие модели дефектов в кристаллах. Мир, М. (1985). 352 с
  20. H. Neuber. Report AFML-TR6820. Technische Hochschule, Munich (1967). 32 p
  21. В.В. Новожилов. ПММ 33, 212 (1969)
  22. K.H. Yang. J. Electrochem. Soc. 131, 1140 (1984)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.