Вышедшие номера
Собственный ферромагнетизм в полупроводниковом оксиде Ti1-xCoxO2-delta, создаваемый инжекцией вакансий
Орлов А.Ф.1, Балагуров-=SUP=- 1-=/SUP=- Л.А., Кулеманов И.В.1, Перов Н.С.2, Ганьшина Е.А.2, Фетисов Л.Ю.2, Rogalev A.3, Smekhova A.3, Cezar-=SUP=- 3-=/SUP=- J.C.
1Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "Гиредмет", Москва, Россия
2Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
3European Synchrotron Radiation Facility, Grenoble, France
Email: imoafo@mail.ru
Поступила в редакцию: 12 мая 2010 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2011 г.

Исследована возможность создания собственного ферромагнетизма в сильно легированном оксидном полупроводнике при комнатной температуре. Результаты показывают, что такое состояние ферромагнитного полупроводника может быть достигнуто путем нанесения методом магнетронного распыления полуизолирующей пленки легированного переходным металлом оксида с последующим низкотемпературным отжигом в вакууме. Работа поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (грант N 09-02-00309a).