Вышедшие номера
Анизотропия фонон-плазмонных мод в сверхрешетках GaAs/AlAs (311)
Володин В.А.1,2
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Email: volodin@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 24 мая 2010 г.
Выставление онлайн: 20 января 2011 г.

Легированные сверхрешетки (СР) GaAs/AlAs, выращенные на поверхностях (311)A и (311)B, были исследованы с применением методики спектроскопии комбинационного рассеяния света (КРС). При обратном рассеянии с "торца" СР (с применением микроприставки для исследования КРС) удалось обнаружить фононные и фонон-плазмонные моды с различными направлениями волновых векторов в плоскости СР (т. е. распространяющиеся в различных латеральных направлениях). Впервые экспериментально обнаружена латеральная анизотропия смешанных фонон-плазмонных мод, обусловленная структурной анизотропией в СР, выращенной на фасетированной поверхности (311)A.