Вышедшие номера
Разупорядочение электронной структуры аморфных пленок YBaCuO при включении в их состав кристаллических кластеров, формирующихся в лазерной плазме
Окунев В.Д.1, Lewandowski S.J.2, Дьяченко Т.А.1, Abal'oshev A.2, Gier owski P.2, Исаев В.А.1
1Донецкий физико-технический институт им. А.А. Галкина НАН Украины, Донецк, Украина
2Institute of Physics, Polish Academy of Science, Warsaw, Poland
Email: okunev@mail.fti.ac.donetsk.ua
Поступила в редакцию: 19 января 2010 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2010 г.

Изучено влияние кристаллических кластеров, формирующихся в лазерной плазме, на оптические свойства аморфных пленок YBa2Cu3O6+x, полученных методом импульсного лазерного осаждения. Показано, что с увеличением количества кластеров в спектрах образцов постепенно исчезают свойственные оптически однородным средам интерференционные полосы. Одновременно при вхождении металлических и диэлектрических кластеров в аморфную среду за счет разрыхления структуры и создания локальных напряжений наблюдается уменьшение оптической ширины запрещенной зоны E0 аморфной матрицы YBaCuO от 1.28 до 1.06 eV и существенное снижение вероятности межзонных оптических переходов с переносом заряда O2p->Cu3d. Обнаружена дополнительная щель E1, уменьшающаяся от 0.25-0.3 eV до нулевых значений с уменьшением E0 и интерпретирующаяся как энергетический зазор между локализованными состояниями, относящимися к валентной зоне и зоне проводимости. С уменьшением плотности электронных состояний в узкой 3d-зоне наблюдается перекрытие хвостов плотности состояний, при этом щель E1 становится отрицательной. Работа частично поддержана грантом польского правительства N 202 058 32/1202.
  1. П.В. Каштанов, Б.М. Смирнов, Р. Хипплер.УФН 177, 473 (2007)
  2. K. Wegner, P. Piseri, H. Vahedi Tafreshi, P. Milani. J. Phys. D: Appl. Phys. 39, R 439 (2006)
  3. В.Д. Окунев, З.А. Самойленко, R. Szymczak, S.J. Lewandowski. ЖЭТФ 125, 150 (2005)
  4. V.D. Okunev, R. Szymczak, M. Baran, H. Szymczak, P. Gierlowski. Phys. Rev. B 74, 014 404 (2006)
  5. V.D. Okunev, Z.A. Samoilenko, N.N. Pafomov, A.L. Plehov, R. Szymczak, M. Baran. H. Szymczak, S.J. Lewandowski, P. Gierlowski, A. Abal'oshev. Phys. Lett. A 332, 275 (2004)
  6. J.M.D. Coey, M. Viret, S. von Molnar. Adv. Phys. 48, 167 (1999)
  7. J.B. Goodenough, J.S. Zhou, F. Rivadulla, E. Winkler. J. Solid State Chem. 175, 116 (2003)
  8. V.D. Okunev, Z.A. Samoilenko, A. Abal'oshev, I. Abal'osheva, P. Gierlowski, A. Klimov, S.J. Lewandowski. Phys. Rev. B 62, 696 (2000)
  9. V.D. Okunev, Z.A. Samoilemko, V.M. Svistunov, A. Abal'oshev, E. Dynowska, P. Gierlowski, A. Klimov, S.J. Lewandowski. J. Appl. Phys. 85, 7282 (1999)
  10. V.D. Okunev, Z.A. Samoilenko, N.N. Pafomov, T.A. D'yachenko, A.L. Plehov, R. Szymczak, M. Baran, H. Szymczak, S.J. Lewandowski. Phys. Lett. A 346, 232 (2005)
  11. V.D. Okunev, Z.A. Samoilenko, N.N. Pafomov, A.L. Plehov, R. Szymczak, H. Szymczak, S.J. Lewandowski. Phys. Lett. A 373, 894 (2009)
  12. В.Д. Окунев, В.А. Исаев, Т.А. Дъяченко, S.J. Lewandowski. Письма в ЖТФ 34, 2, 46 (2008)
  13. В.З. Кресин, Ю.Н. Овчинников, УФН 178, 449 (2008)
  14. В.Д. Окунев, Н.Н. Пафомов, В.А. Исаев, Т.А. Дъяченко, A. Klimov, S.J. Lewandowski. ФТТ 44, 150 (2002)
  15. В.Д. Окунев, З.А. Самойленко, В.А. Исаев, A. Klimov, S.J. Lewandowski. Письма в ЖТФ 28, 2, 12 (2002)
  16. R.K. Singh, J. Narayan. Phys. Rev. B 41, 8843 (1990)
  17. T. Venkatesan, X.D. Wu, A. Inam, J.B. Wachman. Appl. Phys. Lett. 52, 1193 (1988)
  18. Ю.И. Уханов. Оптические свойства полупроводников. Наука, М. (1977). 366 с
  19. V.D. Okunev, Z.A. Samoilemko, A. Abal'oshev, P. Gierlowski, A. Klimov, S.J. Lewandowski. Appl. Phys. Lett. 75, 1949 (1999)
  20. Н. Мотт, Э. Девис. Электронные процессы в некристаллических веществах. Мир, М. (1982) Т. 1. 368 с
  21. J.B. Torrance, P. Lacorre, C. Asavaroengchai, R.M. Metzger. J. Solid State Chem. 90, 168 (1991)
  22. В.Д. Окунев, Н.Н. Пафомов. Письма в ЖТФ 17, 9, 1 (1991)
  23. В.Д. Окунев, З.А. Самойленко. ФТТ 33, 2811 (1991)
  24. В.В. Еременко, В.Н. Самоваров, В.Н. Свищев, В.Л. Вакула, М.Ю. Либин, С.А. Уютнов. ФНТ 26, 739 (2000)
  25. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов. Мир, М. (1984). 455 с. Т. 1
  26. Л.И. Глазман, К.А. Матвеев, ЖЭТФ 94, 332 (1988)
  27. А.И. Ларкин, К.А. Матвеев, ЖЭТФ 93, 1030 (1988)
  28. Y. Xu, A. Matsuda, M.R. Beasley. Phys. Rev. B 42, 1492 (1990)
  29. Y. Xu, D. Ephron, M.R. Beasley. Phys. Rev. B 52, 2843 (1995)
  30. В.Д. Окунев, Т.В. Ведерникова. ФХС 16, 889 (1990)
  31. K. Kakinuma, K. Fueki. Phys. Rev. B 56, 3494 (1997)
  32. В.Д. Окунев, З.А. Самойленко, Т.А. Дъяченко, R. Szymczak, S.J. Lewandowski, H. Szymczak, M. Baran, P. Gierlowski. ФТТ 46, 1831 (2004)
  33. А.С. Москвин, Е.В. Зенков, Ю.Д. Панов, Н.Н. Лошкарева, Ю.П. Сухоркуов, Е.В. Мостовщикова. ФТТ 44, 1452 (2002)
  34. F.W. Smith. J. Appl. Phys. 55, 764 (1984)
  35. M.H. Cohen, H. Fritzsche, S.R. Ovshinsky. Phys. Rev. Lett. 22, 1065 (1969).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.