Издателям
Вышедшие номера
Влияние состава кристаллов TlGa1-xErxSe2 на их диэлектрические характеристики и параметры локализованных состояний
Мустафаева С.Н.1, Асадов М.М.2, Керимова Э.М.1
1Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
2Институт химических проблем НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
Email: solmust@gmail.com
Поступила в редакцию: 13 мая 2013 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2013 г.

В кристаллах TlGa1-xErxSe2 различного состава изучены частотные зависимости действительной (varepsilon') и мнимой (varepsilon'') составляющих комплексной диэлектрической проницаемости, тангенса угла диэлектрических потерь (tgdelta) и ac-проводимости (sigmaac) в области частот f=5· 104-3.5· 107 Hz. Установлено, что в изученных кристаллах имеет место релаксационная дисперсия varepsilon' и varepsilon''. Изучено влияние содержания эрбия в кристаллах на их диэлектрические коэффициенты. В области высоких частот ac-проводимость монокристаллов TlGa1-xErxSe2 подчинялась закономерности sigmaac~ f0.8, характерной для прыжкового механизма переноса заряда по локализованным вблизи уровня Ферми состояниям. Оценены параметры локализованных в запрещенной зоне TlGa1-xErxSe2 состояний, а также влияние состава кристаллов на эти параметры.
  1. С.Н. Мустафаева, В.А. Алиев, М.М. Асадов. ФТТ 40, 1, 48 (1998)
  2. S.N. Mustafaeva, A.I. Hasanov. Power Eng. Probl. 1, 101 (2005)
  3. С.Н. Мустафаева. Журнал радиоэлектроники 5, 11 (2008)
  4. А.У. Шелег, К.В. Иодковская, Н.Ф. Курилович. ФТТ 40, 7, 1328 (1998)
  5. С.Н. Мустафаева, М.М. Асадов, А.А. Исмайлов. Прикладная физика 3, 19 (2012)
  6. С.Н. Мустафаева, М.М. Асадов. Hеорган. материалы 33, 7, 790 (1997)
  7. С.Н. Мустафаева, Э.М. Керимова, Н.З. Гасанов. ФТП 32, 2, 145 (1998)
  8. S.N. Mustafaeva, V.A. Ramazanzade, M.M. Asadov. Mater. Chem. Phys. 40, 2, 142 (1995)
  9. С.Н. Мустафаева, А.И. Гасанов. ФТТ 46, 11, 1937 (2004)
  10. С.Н. Мустафаева, М.М. Асадов, С.Б. Кязимов, Н.З. Гасанов. Неорган. материалы 48, 10, 1110 (2012)
  11. В.В. Пасынков, В.С. Сорокин. Материалы электронной техники. Высш. шк., М. (1986). 368 с
  12. N.F. Mott, E.A. Davis. Electronic processes in non-crystalline materials. Clarendon, Oxford (1971). [Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах. Мир, М. (1974). 472 c.]
  13. С.Н. Мустафаева. Неорган. материалы 30, 5, 619 (1994)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.