Издателям
Вышедшие номера
Влияние режимов ионного синтеза и ионного легирования на эффект сенсибилизации излучения эрбиевых центров нанокластерами кремния в пленках диоксида кремния
Королев Д.С.1, Костюк А.Б.1, Белов А.И.1, Михайлов А.Н.1, Дудин Ю.А.1, Бобров А.И.1, Малехонова Н.В.1, Павлов Д.А.1, Тетельбаум Д.И.1
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: tetelbaum@phys.unn.ru
Поступила в редакцию: 16 апреля 2013 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2013 г.

Исследованы спектры фотолюминесценции эрбиевых центров в пленках SiO2 с ионно-синтезированными нанокластерами кремния при нерезонансном возбуждении. Эрбий вводился в термические пленки SiO2 методом ионной имплантации. Установлены зависимости интенсивности фотолюминесценции от доз, порядка ионного внедрения Si и Er, температуры отжига, а также режимов дополнительного ионного облучения Ar+ и P+ --- факторов, определяющих влияние радиационного повреждения и легирования на сенсибилизацию люминесценции эрбия нанокластерами кремния. Установлено, что как эффект сенсибилизации, так и его усиление за счет легирования фосфором наиболее выражены в условиях, когда нанокластеры аморфны. Гашение фотолюминесценции за счет радиационного повреждения в этом случае проявляется также в меньшей степени, чем для кристаллических нанокластеров. Роль различных факторов в наблюдаемых закономерностях обсуждается в рамках существующих представлений о механизмах излучения света и энергообмена в системе нанокластеров Si и эрбиевых центров. Исследование выполнено при поддержке Министерства образования и науки РФ в рамках ФЦП "Научные и научно-педагогические кадры инновационной России".
  1. L.T. Canham. Appl. Phys. Lett. 57, 1046 (1990)
  2. Silicon Nanocrystals: Fundamentals, Synthesis and Applications / Ed. L. Pavesi, R. Turan. WILEY-VCH Verlag GmbH \& Co. KGaA, Weinheim (2010). 613 p
  3. А.В. Листвин, В.Н. Листвин, Д.В. Швырков. Оптические волокна для линий связи. ЛЕСАРарт, М. (2003). 288 с
  4. M. Fujii, M. Yoshida, S. Hayashi, K. Yamamoto. J. Appl. Phys. 84, 4525 (1998)
  5. P.G. Kik, M.L. Brongersma, A. Polman. Appl. Phys. Lett. 76, 2325 (2000)
  6. M.P. Hehlen, N.J. Cockroft, T.R. Gosnell. Phys. Rev. B 56, 9302 (1997)
  7. K. Sun, W.J. Xu, B. Zhang, L.P. You, G.Z. Ran, G.G. Qin. Nanotechnology 19, 105 708 (2008)
  8. Silicon Nanophotonics / Ed. L. Khriachtchev. World Scientific Publishing Co. Pte. Ltd., Singapore (2009). 452 p
  9. A. Irrera, F. Iacona, G. Franzo, S. Boninelli, D. Pacifici, M. Miritello, C. Spinella, D. Sanfilippo, G. Di Stefano, P.G. Fallica, F. Priolo. Opt. Mater. 27, 1031 (2005)
  10. B. Garrido, C. Garci a, P. Pellegrino, D. Navarro-Urrios, N. Daldosso, L. Pavesi, F. Gourbilleau, R. Rizk. Appl. Phys. Lett. 89, 163 103 (2006)
  11. Ji-Hong Jhe, Jung H. Shin, Kyung Joong Kim, Dae Won Moon. Appl. Phys. Lett. 82, 4489 (2003)
  12. K. Imakita, M. Fujii, Y. Yamaguchi, S. Hayashi. Phys. Rev. B 71, 115 440 (2005)
  13. Г.А. Качурин, С.Г. Черкова, Д.В. Марин, А.К. Гутаковский, А.Г. Черков, В.А. Володин. ФТП 42, 1145 (2008)
  14. А.И. Рябчиков. Изв. вузов. Физика 37, 52 (1994)
  15. J.F. Ziegler, M.D. Ziegler, J.P. Biersack. Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B 268, 1818 (2010)
  16. Г.А. Качурин, С.Г. Яновская, В.А. Володин, В.Г. Кеслер, А.Ф. Лейер, M.-O. Ruault. ФТП 36, 685 (2002)
  17. А.Н. Михайлов, А.И. Белов, А.Б. Костюк, И.Ю. Жаворонков, Д.С. Королев, А.В. Нежданов, А.В. Ершов, Д.В. Гусейнов, Т.А. Грачева, Н.Д. Малыгин, Е.С. Демидов, Д.И. Тетельбаум. ФТТ 54, 347 (2012)
  18. Д.И. Тетельбаум, О.Н. Горшков, А.П. Касаткин, А.Н. Михайлов, А.И. Белов, Д.М. Гапонова, С.В. Морозов. ФТТ 47, 17 (2005)
  19. F. Priolo, G. Franzo, D. Pacifici, V. Vinciguerra, F. Iacona, A. Irrera. J. Appl. Phys. 89, 264 (2001)
  20. R.J. Kashtiban, U. Bangert, I. Crowe, M.P. Halsall, B. Sherliker, A.J. Harvey, J. Eccles, A.P. Knights, R. Gwilliam, M. Gass. J. Phys.: Conf. Series 209, 012 043 (2010)
  21. Г.А. Качурин, С.Г. Яновская, Д.И. Тетельбаум, А.Н. Михайлов. ФТП 37, 738 (2003)
  22. A.N. Mikhaylov, D.I. Tetelbaum, V.A. Burdov, O.N. Gorshkov, A.I. Belov, D.A. Kambarov, V.A. Belyakov, V.K. Vasiliev, A.I. Kovalev, D.M. Gaponova. J. Nanosci. Nanotechnol. 8, 780 (2008)
  23. V.A. Belyakov, A.I. Belov, A.N. Mikhaylov, D.I. Tetelbaum, V.A. Burdov. J. Phys.: Cond. Matter 21, 045 803 (2009)
  24. И.Н. Антонов, О.Н. Горшков, А.Н. Шушунов, А.П. Касаткин, А.Ю. Дудин, М.Е. Шенина. ПЖТФ 38, 5, 71 (2012)
  25. М.Е. Лихачев, М.М. Бубнов, К.В. Зотов, О.Н. Медведков, Д.С. Липатов, М.В. Яшков, А.Н. Гурьянов. Квантовая электрон. 40, 633 (2010)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.