Издателям
Вышедшие номера
Роль адгезии при фазовом переходе металл-полупроводник в поликристаллических пленках диоксида ванадия
Андреев В.Н.1, Климов В.А.1, Компан М.Е.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: vn.andreev@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 21 марта 2013 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2013 г.

Травление тонких поликристаллических пленок диоксида ванадия в парах плавиковой кислоты позволило выявить существенное влияние степени адгезии на температурное положение и форму петли гистерезиса отражательной способности. Установлено, что в тех случаях, когда подложкой служит кремний, травление при комнатной температуре сопровождается внедрением водорода в тонкие пленки диоксида ванадия. Работа поддержана научной программой ОФН РАН.
  1. А.А. Бугаев, Б.П. Захарченя, Ф.А. Чудновский. Фазовый переход металл-полупроводник и его применение. Наука, Л. (1979). 183 с
  2. W. Bruckner, H. Oppermann, W. Reichelt, E.I. Terukov, F.A. Tschudnowski, E. Wolf. Vanadiumoxide. Akademie-Verlag, Berlin (1983). 252 p
  3. P.B. Allen, R.M. Wentscovitch, W.W. Schuls, P.C. Canfield. Phys. Rev. B 48, 4359 (1993)
  4. В.Н. Андреев, В.А. Климов, Ф.А. Чудновский. Письма в ЖЭТФ 19, 9, 63 (1993)
  5. M.M. Qazilbash, K.S. Burch, D. Whisler, D. Shrekenhamer, B.G. Chae, H.T. Kim, D.N. Basov. Phys. Rev. B 74, 205 118 (2006)
  6. В.Н. Андреев, В.А. Климов. ФТТ 49, 2146 (2007)
  7. O.B. Danilov, V.P. Belousov, I.M. Belousova. Proc. SPIE 3263, 124 (1998)
  8. О.Б. Данилов, В.А. Климов, О.П. Михеева, А.И. Сидоров, С.А. Тульский, Е.Б. Шадрин, И.Л. Ячнев. ЖТФ 73, 1, 79 (2003)
  9. А.А. Бугаев, А.Б. Ваньков, В.А. Лукошкин. ФТТ 29, 2710 (1987)
  10. A. Cavalleri, Cs. Toth, G.W. Siders, J.A. Squier. Phys. Rev. Lett. 87, 23, 237 401 (2001)
  11. B. Felde, W. Niessner, D. Schalch, A. Scharmann, M. Werling. Thin Solid Films 305, 61 (1997)
  12. Y. Muraoka, Z. Hiroi. Appl. Phys. Lett. 80, 583 (2002)
  13. Y. Muraoka, Y. Ueda, Z. Hiroi. J. Chem. Phys. Solids 63, 965 (2002)
  14. В.Н. Андреев, В.А. Климов. ФТТ 53, 538 (2011)
  15. A. Tselev, E. Strelkov, I.A. Luk'yanchuk, J.D. Budai, J.Z. Tischler, I.N. Ivanov, K. Jones, R. Proksch, S.V. Kalinin, A. Kolmakov. Nano Lett. 10, 2003 (2010)
  16. A. Tselev, I.A. Luk'yanchuk, I.N. Ivanov, J.D. Budai, J.Z. Tischler, E. Strelkov, K. Jones, A. Kolmakov, S.V. Kalinin. Nano Lett. 10, 4409 (2010)
  17. J. Wu, Q. Gu, B.S. Guiton, N.P. de Leon, L.Ouyang, H. Park. Nano Lett. 6, 2313 (2006)
  18. J. Wei, Z. Wang, W. Chen, D.H. Cobden. Nature Nanotechnol. 4, 420 (2009)
  19. В.Н. Андреев, В.А. Климов, М.Е. Компан. Письма в ЖТФ 39, 12, 57 (2013)
  20. J.S. Parker. Phys. Rev. B 42, 3, 3164 (1990)
  21. E. Strelkov, A. Tselev, I. Ivanov, J.D. Budai, J. Zhang, J.Z. Tishler, I. Kravchenko, S. Kalinin, A. Kolmakov. Nano Lett. 12, 6198 (2012)
  22. Р.А. Алиев, В.Н. Андреев, В.М. Капралова, В.А. Климов, А.И. Соболев, Е.Б. Шадрин. ФТТ 48, 874 (2006)
  23. R. Lopez, L.A. Boahter, T.E. Haynes, L.C. Feldman, R.F. Haglund, jr. Phys. Rev. B 65, 224 113 (2002)
  24. E.U. Donev, R. Lopez, L.C. Feldman, R.F. Haglund, jr. Nano Lett. 10, 702 (2009)
  25. K. Appavoo, D.Y. Lei, Y. Sonnefraud, B. Wang, S.T. Pantelides, S.A. Maier, R.F. Haglund, jr. Nano Lett. 12, 780 (2012)
  26. В.Н. Андреев, В.М. Капралова, В.А. Климов. ФТТ 49, 2209 (2007)
  27. В.Н. Андреев, В.А. Климов. ФТТ 52, 557 (2010)
  28. В.Н. Андреев, В.А. Климов, М.Е. Компан. ФТТ 54, 562 (2012)
  29. S. Lysenko, A. Rua, F. Fernandes, H. Liu. J. Appl. Phys. 105, 043 502 (2009)
  30. В.А. Климов, И.О. Тимофеева, С.Д. Ханин, Е.Б. Шадрин, А.В. Ильинский, З.Ф. Сильва-Андраде. ЖТФ 72, 9, 67 (2002)
  31. Е.Б. Шадрин, Д.А. Курдюков, А.В. Ильинский, В.Г. Голубев. ФТП 43, 1, 110 (2009)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.