Издателям
Вышедшие номера
Структура и магнетотранспортные параметры частично релаксированных и когерентно выращенных пленок La0.67Ba0.33MnO3
Бойков Ю.А.1, Серенков И.Т.1, Сахаров В.И.1, Клаесон Т.2, Калабухов А.2, Афросимов В.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Чалмерский технический университет, Гетеборг, Швеция
Email: yu.boikov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 11 марта 2013 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2013 г.

Рентгеновская дифракция (XRD) и рассеяние ионов средних энергий (MEIS) использованы для выявления нарушений в кристаллической решетке пленок La0.67Ba0.33MnO3 (LBMO), возникших в процессе релаксации механических напряжений. Пленки LBMO толщиной 25 nm сформированы методом лазерного испарения. Результаты, полученные с использованием XRD и MEIS, указывают на то, что двухосно механически упруго напряженные наноразмерные слои LBMO растут когерентно на подложках LSATO, параметр кристаллической решетки последних слабо отличается от соответствующего параметра LBMO, в то время как в основном объеме манганитных пленок, выращенных на подложках LaAlO3, напряжения частично релаксируют. Релаксации напряжений не происходит в прослойке LBMO толщиной порядка 4 nm, прилегающей к LaAlO3. Электро- и магнетотранспортные параметры частично релаксированных пленок LBMO сравнивались с соответствующими данными, полученными для когерентно выращенных манганитных пленок с примерно таким же тетрагональным искажением элементарной ячейки (a normal /a|=1.024-1.030, a| и a normal --- параметры элементарной ячейки в плоскости подложки и вдоль нормали к ее поверхности соответственно). При температурах существенно ниже температуры Кюри электросопротивление rho пленок LBMO следовало соотношению rho=rho0+rho1T2+rho2(H)T4.5, коэффициенты rho0 и rho1 в котором не зависят от температуры T и магнитного поля, а rho2 также не зависит от температуры, но примерно линейно уменьшается с увеличением напряженности магнитного поля H. Коэффициент rho2 для частично релаксированных пленок LBMO существенно больше соответствующего коэффициента для когерентно выращенных манганитных слоев. Финансовая поддержка работы частично получена в рамках проекта РФФИ N 11-02-00609а, а также проекта Visby и от Swedish Research Council.
  1. M. Pannetier, C. Fermon, G. Le Goff, J. Simola, E. Kerr. Science 304, 1648 (2004)
  2. S.S.P. Parkin, K.P. Roche, M.G. Samant, P.M. Rice, R.B. Beyers, R.E. Scheuerlein, E.J. O'Sullivan, S.L. Brown, J. Bucchigano, D.W. Abraham, Y. Lu, M. Rooks, P.L. Trouilloud, R.A. Wanner, W.J. Gallagher. J. Appl. Phys. 85, 5828 (1999)
  3. A. Goyal, M. Rajeswari, R. Shreekala, S.E. Lofland, S.M. Bhagat, T. Boettcher, C. Kwon, R. Ramesh, T. Venkatesan. Appl. Phys. Lett. 71, 2535 (1997)
  4. R.H. Heffner, J.E. Sonier, D.E. MacLaughlin, G.J. Nieuwenhuys, G. Ehlers, F. Mezei, S.-W. Cheong, J.S. Gardner, H. Roder. Phys. Rev. Lett. 85, 3285 (2000)
  5. Y.G. Zhao, J.J. Li, R. Shreekala, H.D. Drew, C.L. Chen, W.L. Cao, C.H. Lee, M. Rajeswary, S.B. Ogale, R. Ramesh, G. Baskaran, T. Venkatesan. Phys. Rev. Lett. 81, 1310 (1998)
  6. Y.H. Ren, H.B. Zhao, G. Lupke, Y.F. Hu, Qi Li. J. Appl. Phys. 91, 7514 (2002)
  7. B. Wiedenhorst, C. Hofener, Y. Lu, J. Klein, L. Alff, R. Gross, B.H. Freitag, W. Mader. Appl. Phys. Lett. 74, 3636 (1999)
  8. O.I. Lebedev, G. Van Tandeloo, S. Amelinckx, B. Leibold, H.-U. Habermeier. Phys. Rev. B 58, 8065 (1998)
  9. Yu.A. Boikov, R. Gunnarsson, T. Claeson. J. Appl. Phys. 96, 435 (2004)
  10. P. Bailey, T.C.Q. Noakes, C.J. Baddeley, S.P. Taer, D.P. Woddruff. Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B 183, 62 (2001)
  11. T.I. Kamins. J. Appl. Phys. 42, 4357 (1971)
  12. D.Y. Wang, J. Wang, H.L.W. Chan, C.L. Choy. J. Appl. Phys. 101, 043 515 (2007)
  13. R.W.J. Wyckoff. Crystal structures. 2-=SUP=-nd-=/SUP=- ed. Interscience, N.Y. (1964). V. 2. P. 394
  14. C. Zuccaro, H.L. Berlincourt, N. Klein, K. Urban. J. Appl. Phys. 82, 5695 (1997)
  15. B.C. Chakoumakos, D.G. Scholm, M. Urbanik, J. Luine. J. Appl. Phys. 83, 1979, (1998)
  16. J. Zhang, H. Tanaka, T. Kanki, J.-H. Choi, T. Kawai. Phys. Rev. B 64, 184 404 (2001)
  17. V.V. Afrosimov, R.N. Il'in, S.F. Karmanenko, A.A. Melkov, V.I. Sakharov, I.T. Serenkov. Thin Solid Films 492, 146 (2005)
  18. J.R. Bird, J.S. Williams. Ion beam for material analysis. Academic Press, Sydney (1989). 719 p
  19. L.C. Feldman, J.W. Mayer, S.T. Picraes. Materials analysis by ion channeling. Academic Press, N.Y.--London (1982). 300 p
  20. E. Huttel, W. Arnold, H. Baumgard, G. Clausnitzer. Nucl. Instr. Meth. B 12, 193 (1985)
  21. G.G. Ross, B. Terreault. Nucl. Instr. Meth. B 15, 146 (1986)
  22. K. Kubo, N. Ohata. J. Phys. Soc. Jpn. 33, 21 (1972)
  23. M. Jaime, P. Lin, M.B. Salamon, P.D. Han. Phys. Rev. B 58, R5901 (1998)
  24. G.J. Snyder, R. Hiskes, S. DiCarolis, M.R. Beasley, T.H. Geballe. Phys. Rev. B 53, 21, 14 434 (1996)
  25. H.S. Wang, Qi Li. Appl. Phys. Lett. 73, 2360 (1998)
  26. N.D. Mathur, P.B. Littlewood, N.K. Todd, S.P. Isaac, B.-S. Teo, D.-S. Kang, E.J. Tarte, Z.H. Barber, J.E. Evetts, M. Blamire. J. Appl. Phys. 86, 6287 (1999)
  27. Y. Wu, Y. Suzuki, U. Rudiger, J. Yu, A.D. Kent, T.K. Nath, C.B. Eom. Appl. Phys. Lett. 75, 2295, (1999)
  28. R. Kajimoto, H. Yoshizawa, H. Kawano-Furucawa, H. Kuwahara, Y. Tomioka, Y. Tokura. J. Magn. Magn. Mater. 226, 892, (2001)
  29. J.A. Fernandez-Baca, P. Dai, H.Y. Hwang, C. Kloc, S.-W. Cheong. Phys. Rev. Lett. 80, 4012, (1998)
  30. A.J. Millis. In: Collosal magnetoresistive oxides / Ed. Y. Tokura. Gordon and Breach Sci. Publ., The Netherlands (2000). P. 56
  31. J.W. Lynn, R.W. Erwin, S.A. Borchers, A. Shantoro, Q. Huang, J.-L. Peng, R.L. Greene. J. Appl. Phys. 81, 5488, (1997)
  32. H.S. Wang, Qi Li, K. Liu, C.L. Chien. Appl. Phys. Lett. 74, 2212 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.