Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Структура и магнетотранспортные параметры частично релаксированных и когерентно выращенных пленок La0.67Ba0.33MnO3
Бойков Ю.А.1, Серенков И.Т.1, Сахаров В.И.1, Клаесон Т.2, Калабухов А.2, Афросимов В.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Чалмерский технический университет, Гетеборг, Швеция
2Чалмерский технический университет, Гетеборг, Швеция
Email: yu.boikov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 11 марта 2013 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2013 г.
Рентгеновская дифракция (XRD) и рассеяние ионов средних энергий (MEIS) использованы для выявления нарушений в кристаллической решетке пленок La0.67Ba0.33MnO3 (LBMO), возникших в процессе релаксации механических напряжений. Пленки LBMO толщиной 25 nm сформированы методом лазерного испарения. Результаты, полученные с использованием XRD и MEIS, указывают на то, что двухосно механически упруго напряженные наноразмерные слои LBMO растут когерентно на подложках LSATO, параметр кристаллической решетки последних слабо отличается от соответствующего параметра LBMO, в то время как в основном объеме манганитных пленок, выращенных на подложках LaAlO3, напряжения частично релаксируют. Релаксации напряжений не происходит в прослойке LBMO толщиной порядка 4 nm, прилегающей к LaAlO3. Электро- и магнетотранспортные параметры частично релаксированных пленок LBMO сравнивались с соответствующими данными, полученными для когерентно выращенных манганитных пленок с примерно таким же тетрагональным искажением элементарной ячейки (a normal /a|=1.024-1.030, a| и a normal - параметры элементарной ячейки в плоскости подложки и вдоль нормали к ее поверхности соответственно). При температурах существенно ниже температуры Кюри электросопротивление rho пленок LBMO следовало соотношению rho=rho0+rho1T2+rho2(H)T4.5, коэффициенты rho0 и rho1 в котором не зависят от температуры T и магнитного поля, а rho2 также не зависит от температуры, но примерно линейно уменьшается с увеличением напряженности магнитного поля H. Коэффициент rho2 для частично релаксированных пленок LBMO существенно больше соответствующего коэффициента для когерентно выращенных манганитных слоев. Финансовая поддержка работы частично получена в рамках проекта РФФИ N 11-02-00609а, а также проекта Visby и от Swedish Research Council.
- M. Pannetier, C. Fermon, G. Le Goff, J. Simola, E. Kerr. Science 304, 1648 (2004)
- S.S.P. Parkin, K.P. Roche, M.G. Samant, P.M. Rice, R.B. Beyers, R.E. Scheuerlein, E.J. O'Sullivan, S.L. Brown, J. Bucchigano, D.W. Abraham, Y. Lu, M. Rooks, P.L. Trouilloud, R.A. Wanner, W.J. Gallagher. J. Appl. Phys. 85, 5828 (1999)
- A. Goyal, M. Rajeswari, R. Shreekala, S.E. Lofland, S.M. Bhagat, T. Boettcher, C. Kwon, R. Ramesh, T. Venkatesan. Appl. Phys. Lett. 71, 2535 (1997)
- R.H. Heffner, J.E. Sonier, D.E. MacLaughlin, G.J. Nieuwenhuys, G. Ehlers, F. Mezei, S.-W. Cheong, J.S. Gardner, H. Roder. Phys. Rev. Lett. 85, 3285 (2000)
- Y.G. Zhao, J.J. Li, R. Shreekala, H.D. Drew, C.L. Chen, W.L. Cao, C.H. Lee, M. Rajeswary, S.B. Ogale, R. Ramesh, G. Baskaran, T. Venkatesan. Phys. Rev. Lett. 81, 1310 (1998)
- Y.H. Ren, H.B. Zhao, G. Lupke, Y.F. Hu, Qi Li. J. Appl. Phys. 91, 7514 (2002)
- B. Wiedenhorst, C. Hofener, Y. Lu, J. Klein, L. Alff, R. Gross, B.H. Freitag, W. Mader. Appl. Phys. Lett. 74, 3636 (1999)
- O.I. Lebedev, G. Van Tandeloo, S. Amelinckx, B. Leibold, H.-U. Habermeier. Phys. Rev. B 58, 8065 (1998)
- Yu.A. Boikov, R. Gunnarsson, T. Claeson. J. Appl. Phys. 96, 435 (2004)
- P. Bailey, T.C.Q. Noakes, C.J. Baddeley, S.P. Taer, D.P. Woddruff. Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B 183, 62 (2001)
- T.I. Kamins. J. Appl. Phys. 42, 4357 (1971)
- D.Y. Wang, J. Wang, H.L.W. Chan, C.L. Choy. J. Appl. Phys. 101, 043 515 (2007)
- R.W.J. Wyckoff. Crystal structures. 2nd ed. Interscience, N.Y. (1964). V. 2. P. 394
- C. Zuccaro, H.L. Berlincourt, N. Klein, K. Urban. J. Appl. Phys. 82, 5695 (1997)
- B.C. Chakoumakos, D.G. Scholm, M. Urbanik, J. Luine. J. Appl. Phys. 83, 1979, (1998)
- J. Zhang, H. Tanaka, T. Kanki, J.-H. Choi, T. Kawai. Phys. Rev. B 64, 184 404 (2001)
- V.V. Afrosimov, R.N. Il'in, S.F. Karmanenko, A.A. Melkov, V.I. Sakharov, I.T. Serenkov. Thin Solid Films 492, 146 (2005)
- J.R. Bird, J.S. Williams. Ion beam for material analysis. Academic Press, Sydney (1989). 719 p
- L.C. Feldman, J.W. Mayer, S.T. Picraes. Materials analysis by ion channeling. Academic Press, N.Y.--London (1982). 300 p
- E. Huttel, W. Arnold, H. Baumgard, G. Clausnitzer. Nucl. Instr. Meth. B 12, 193 (1985)
- G.G. Ross, B. Terreault. Nucl. Instr. Meth. B 15, 146 (1986)
- K. Kubo, N. Ohata. J. Phys. Soc. Jpn. 33, 21 (1972)
- M. Jaime, P. Lin, M.B. Salamon, P.D. Han. Phys. Rev. B 58, R5901 (1998)
- G.J. Snyder, R. Hiskes, S. DiCarolis, M.R. Beasley, T.H. Geballe. Phys. Rev. B 53, 21, 14 434 (1996)
- H.S. Wang, Qi Li. Appl. Phys. Lett. 73, 2360 (1998)
- N.D. Mathur, P.B. Littlewood, N.K. Todd, S.P. Isaac, B.-S. Teo, D.-S. Kang, E.J. Tarte, Z.H. Barber, J.E. Evetts, M. Blamire. J. Appl. Phys. 86, 6287 (1999)
- Y. Wu, Y. Suzuki, U. Rudiger, J. Yu, A.D. Kent, T.K. Nath, C.B. Eom. Appl. Phys. Lett. 75, 2295, (1999)
- R. Kajimoto, H. Yoshizawa, H. Kawano-Furucawa, H. Kuwahara, Y. Tomioka, Y. Tokura. J. Magn. Magn. Mater. 226, 892, (2001)
- J.A. Fernandez-Baca, P. Dai, H.Y. Hwang, C. Kloc, S.-W. Cheong. Phys. Rev. Lett. 80, 4012, (1998)
- A.J. Millis. In: Collosal magnetoresistive oxides / Ed. Y. Tokura. Gordon and Breach Sci. Publ., The Netherlands (2000). P. 56
- J.W. Lynn, R.W. Erwin, S.A. Borchers, A. Shantoro, Q. Huang, J.-L. Peng, R.L. Greene. J. Appl. Phys. 81, 5488, (1997)
- H.S. Wang, Qi Li, K. Liu, C.L. Chien. Appl. Phys. Lett. 74, 2212 (1999)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
