Вышедшие номера
Влияние напряженности магнитного поля и интенсивности возбуждения на вид спектров микрофотолюминесценции структур с квантовыми ямами на основе GaN/InGaN, легированных Sm, Eu + Sm
Мездрогина М.М.1, Москаленко Е.С., Полетаев Н.К.1, Кожанова Ю.В.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
Email: Margaret.m@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 24 апреля 2012 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2013 г.

На основании результатов комплексных измерений спектров микрофотолюминесценции структур с квантовыми ямами на основе InGaN/GaN<Sm>, определения концентрации и зарядового состояния легирующей примеси Sm показано, что увеличение напряженности магнитного поля и интенсивности возбуждения спектров микрофотолюминесценции приводят к увеличению интенсивности излучения и сдвигу максимума излучения в коротковолновую область спектра. Измерения спектров микрофотолюминесценции при варьировании напряженности внешнего магнитного поля и введении парамагнитной и магнитной примесей дают дополнительную информацию о механизмах формирования спектров излучения в структурах с квантовыми ямами InGaN/GaN<Sm>, <Eu+Sm>. В длинноволновой области спектра в легированных Sm, Sm + Eu структурах InGaN/GaN влияние магнитного поля на вид спектров микрофотолюминесценции меньше, чем в коротковолновой области. Работа выполнена при поддержке гранта Президиума РАН "Сильно коррелированные системы".
  1. В.В. Криволапчук, М.М. Мездрогина, Э.Ю. Даниловский, Р.В. Кузьмин. ФТТ 51, 2, 365 (2009)
  2. С.Ю. Карпов, К.А. Булашевич, В.Ф. Мымрин. Тез. докл. 5-й Всерос. конф. "Нитриды галлия, индия, алюминия, структуры и приборы". СПб (2008). С. 94
  3. Н.И. Бочкарева, В.В. Воронков, Р.Н. Горбунов, А.С. Зубрилов, Ю.С. Леликов, Ф.Е. Латышев, Ю.Т. Ребане, А.И. Цюк, Ю.Г. Шретер. ФТП 44, 6, 822 (2010)
  4. В.В. Криволапчук, М.М. Мездрогина, А.В. Насонов, С.Н. Родин. ФТТ 45, 9, 1556 (2003)
  5. Y. Fujywara, A. Nishikawa, Y. Terray. Advanced display technologies. Int. Symp. St. Petersburg State of Technology (Technical University), St. Petersburg (2010). P. 210
  6. Y. Liu, Ch. Xu, Q. Yang. J. Appl. Phys. 105, 084 701 (2009)
  7. М.М. Мездрогина, Э.Ю. Даниловский, Р.В. Кузьмин. ФТП 44, 3, 365 (2010)
  8. М.М. Мездрогина, Е.С. Москаленко, Ю.В. Кожанова. ФТТ 53, 8, 1596 (2011)
  9. В.В. Криволапчук, М.М. Мездрогина. ФТТ 48, 11, 2067 (2006).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.