Поликристаллические текстурированные пленки дейтерированного глицинфосфита, состоящие из монокристаллических блоков с латеральными размерами ~ (50-100) mu и толщиной d~ (1-5) mu, выращены методом испарения на подложках NdGaO₃(001), alpha-Al₂O₃ с предварительно нанесенной на них встречно-штыревой системой электродов, а также на подложках из Al. Кристаллическая ось c^* (Z) в блоках направлена нормально к плоскости пленки, а ось a (X) и полярная ось b (Y) находятся в плоскости пленки. Температурные зависимости емкости структур, измеренные с помощью встречно-штыревой системы электродов, показывают сильную диэлектрическую аномалию при переходе пленки в сегнетоэлектрическое состояние. Температура фазового перехода T_c зависит от степени дейтерирования D глицинфосфита. Максимальная величина T_c= 275 K, полученная в исследованных структурах, соответствует степени дейтерирования D~ 50%. Частотное поведение петель диэлектрического гистерезиса в пленках глицинфосфита принципиально отличается от исследованных ранее пленок дейтерированного бетаинфосфита, что свидетельствует о различии механизмов переключения поляризации в этих структурах. Обнаружено, что после приложения к электродам постоянного смещающего напряжения петли диэлектрического гистерезиса изменяются по форме и смещаются по оси электрического поля. Сдвиг петель зависит от знака, величины и времени приложения смещающего поля. Обсуждаются возможные механизмы наведенной униполярности. Работа поддержана РФФИ (грант N 10-02-00557а).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.