Представлены результаты исследований электропроводности большой группы халькогенидных полупроводников, имеющих слоистую, кубическую и орторомбическую структуру, в сильных электрических полях до 10⁵ V/cm. Выявленный рост электропроводности sigma в сильных электрических полях объясняется термоэлектронной ионизацией Френкеля. Это позволило наряду с другими параметрами (например, энергией активации и концентрацией ловушек, длиной свободного пробега носителей тока, диэлектрическую проницаемость), а также оценить концентрацию и подвижность носителей тока исследуемых полупроводников. Показано, что в сильных электрических полях в полупроводниках, когда имеет место термоэлектронная ионизация ловушек, их диэлектрическая проницаемость varepsilon, обусловленная электронной поляризацией, определяется простым способом, т. е. varepsilon=n² (где n - коэффициент преломления света). Работа выполнена при финансовой поддержке Фонда развития науки при Президенте Республики Азербайджан (грант N EIF-2011-1(3)-82/01/1).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.