ПЖТФ, 2010, том 36, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Исследование распределения электрического поля в детекторных структурах на GaAs методом Кельвин-зонд-микроскопии

М.Д.Вилисова, В.П.Гермогенов, О.Ж.Казтаев,
В.А.Новиков, И.В.Пономарев, А.Н.Титков

ГОУ ВПО Томский государственный университет
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург
E-mail: spti@sibmail.com

Поступило в Редакцию 13 ноября 2009 г.

Представлены результаты исследования с помощью метода Кельвин-зонд-микроскопии распределения электрического поля в детекторных p+-pi-n-n+-структурах на основе GaAs. Установлено наличие двух максимумов в распределении напряженности электрического поля в объеме активного слоя структур в области p+-pi- и pi-n-переходов. Падение напряжения на pi-n-переходе расширяет область собирания неравновесных дырок в детекторах, что увеличивает эффективность сбора заряда при поглощении гамма-квантов с энергией 59.5 keV.

 PDF версия (603Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2010, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster