ПЖТФ, 2010, том 36, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Модификация нанокластеров Ge в пленках GeOx при изохронных печных и импульсных отжигах

Д.В.Марин, В.А.Володин, Е.Б.Горохов, Д.В.Щеглов,
А.В.Латышев, М.Vergnat, J.Koch, B.N.Chichkov

Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия
E-mail: marin@isp.nsc.ru, volodin@isp.nsc.ru
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Laboratoire de Physique des Materiaux (LPM), Nancy-Universite, CNRS, Boulevard des Aiguillettes B.P. 239, 54506 Vandoeuvre les Nancy, France
Laser Zentrum Hannover, Hollerithallee 8, 30419 Hannover, Germany

Поступило в Редакцию 14 декабря 2009 г.

Изучалось формирование и модификация нанокластеров Ge в пленках GeOx под воздействием импульсных и изохронных печных отжигов. Импульсные отжиги проводились титан-сапфировым лазером с длиной волны излучения 800 nm и длительностью импульса порядка 30 fs и KrF эксимерным лазером с длиной волны излучения 248 nm и длительностью импульса 25 ns. Импульсные отжиги стимулировали как кристаллизацию исходных аморфных нанокластеров Ge в пленках GeOx, так и формирование новых нанокластеров. Для предотвращения испарения пленок при воздействии лазерного излучения на них наносился защитный слой SiNxOy. Апробированный подход может быть использован для модификации размера и фазового состава нанокластеров Ge в пленках GeOx.

 PDF версия (0.9Mb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2010, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster