ПЖТФ, 2010, том 36, выпуск 9

Другие выпуски	Другие журналы	Поиск

Родионов Д.П., Гервасьева И.В., Хлебникова Ю.В., Казанцев В.А., Сазонова В.А. Текстурированные подложки из Ni $-$ Cr $-$ W сплавов с точкой Кюри ниже 77 K для высокотемпературных сверхпроводников второго поколения	1
Жиляев Ю.В., Родин С.Н. Рост слоев нитрида галлия методом хлоридной газофазной эпитаксии при пониженной температуре источника	11
Кузьмин Ю.И. Состояние вихревого стекла в сверхпроводниках с фрактальными кластерами нормальной фазы	17
Илларионов Ю.Ю., Векслер М.И., Сутурин С.М., Федоров В.В., Соколов Н.С. Характеристики тонких барьерных слоев фторида кальция для полевых транзисторов и приборов функциональной электроники	26
Мамутин В.В., Устинов В.М., Boetthcher J., Kuenzel Н. Получение квантовых каскадных лазеров с длиной волны излучения 5 mu m молекулярно-пучковой эпитаксией	34
Андреев И.А., Серебренникова О.Ю., Соколовский Г.С., Куницына Е.В., Дюделев В.В., Гаджиев И.М., Дерягин А.Г., Гребенщикова Е.А., Коновалов Г.Г., Михайлова М.П., Ильинская Н.Д., Кучинский В.И., Яковлев Ю.П. Быстродействующие $p-i-n$ -фотодиоды для спектрального диапазона 0.9 $-$ 2.4 mu m	43
Корнюшин Ю.В. Об эффективной проводимости композитных материалов	50
Зубарев Н.М., Зубарева О.В. Равновесная конфигурация поверхности проводящей жидкости во внешнем пространственно-периодическом электрическом поле	54
Войнович П.А. О чувствительности усиления обращенного акустического сигнала в условиях параметрического резонанса к малым изменениям длины волны	60
Меньшикова Т.Г., Бормонтов А.Е. Флуктуационная модель вольт-фарадной характеристики МДП-структуры	65
Стогний А.И., Пашкевич М.В., Новицкий Н.Н., Беспалов А.В. Ионно-лучевая инженерия многослойной наноструктуры Co/TiO₂	73
Дмитриев А.С., Ефремова Е.В., Никишов А.Ю. Генерация микроволнового динамического хаоса в кольцевой автоколебательной системе на комплементарной металл $-$ окисел $-$ полупроводниковой структуре	82
Ктиторов С.А., Чэн Сяосинь Динамичеcкое рождение щели в монослойном графене	90
Вилисова М.Д., Гермогенов В.П., Казтаев О.Ж., Новиков В.А., Пономарев И.В., Титков А.Н. Исследование распределения электрического поля в детекторных структурах на GaAs методом Кельвин-зонд-микроскопии	95
Марин Д.В., Володин В.А., Горохов Е.Б., Щеглов Д.В., Латышев А.В., Vergnat М., Koch J., Chichkov B.N. Модификация нанокластеров Ge в пленках GeO_x при изохронных печных и импульсных отжигах	102