ПЖТФ, 2009, том 35, выпуск 19

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Особенности рекомбинационных процессов в светодиодах на основе InGaN/GaN при больших плотностях инжекционного тока

Н.С.Аверкиев, М.Е.Левинштейн, П.В.Петров, А.Е.Черняков,
Е.И.Шабунина, Н.М.Шмидт

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург
E-mail: Natalia.Shmidt@mail.ioffe.ru

Поступило в Редакцию 14 мая 2009 г.

Показано, что плотность низкочастотного шума светодиодов на основе InGaN/GaN зависит от плотности тока как j3 при плотностях тока больше 20 A/cm2. Такой вид зависимости свидетельствует об образовании новых центров безызлучательной рекомбинации, и этот процесс может быть причиной падения внешней квантовой эффективности при больших плотностях тока.

PACS: 85.60.Jb, 81.05.Ea, 81.07.St, 71.55.-i, 72.20.Jv

 PDF версия (134Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster