ПЖТФ, 2009, том 35, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Определение локальных температур в структурах красных AlInGaP/GaAs светодиодов в импульсном режиме

В.А.Сергеев, А.А.Широков

Ульяновский филиал Института радиотехники и электроники РАН
E-mail: ufire@mv.ru

В окончательной редакции 16 июля 2008 г.

Исследованы спектры излучения красных AlInGaP/GaAs светодиодов с многоямной гетероструктурой и распределенным брэгговским отражателем в импульсном режиме в диапазоне температур 20/ 100oC, токов 1· 10-3/ 2· 10-1 A и частот следования импульсов 1/ 10 kHz. Установлено, что при коротких импульсах тока большой скважности, исключающих саморазогрев структуры, температурные зависимости длины волны максимума спектра основной и побочной полосы излучения имеют суперлинейный и сублинейный характер соответственно. На квазилинейном участке этих зависимостей температурный коэффициент сдвига основной полосы излучения уменьшается, а побочной --- слабо растет с увеличением тока. Локальные температуры, определяемые по сдвигу спектра основной и побочной полосы, и их разность линейно возрастают с ростом длительности импульсов. Разность тепловых сопротивлений, вычисляемых по наклону зависимости локальных температур от средней греющей мощности, не зависит от величины тока и определяется параметрами слоев, разделяющих гетероструктуру и область переизлучения.

PACS: 85.60.Jb, 78.60.Fi

 PDF версия (209Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster