Вышедшие номера
Влияние нуклеации на кристаллическую структуру полупроводниковых нитевидных нанокристаллов
Дубровский В.Г.1, Сибирёв Н.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН
Email: NickSibirev@yandex.ru
Поступила в редакцию: 2 декабря 2008 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2009 г.

Построена точно решаемая модель нуклеации при росте нитевидных нанокристаллов (ННК). Определен активационный барьер нуклеации зародышей в различных положениях в зависимости от химических потенциалов и поверхностных энергий. Показано, что нуклеация на тройной линии является энергетически выгодной. В широкой области параметров системы, в частности, для параметров GaAs ННК на поверхности GaAs (111)B, активированной Au, наблюдается эффект образования вюрцитной гексагональной (HEX) кристаллической фазы. Найдены зависимости вероятности формирования HEX фазы от пересыщения в капле и радиуса ННК. PACS: 61.46Km, 62.23.Hj, 81.07.Vb, 36.40.Ei, 61.46Hk