ПЖТФ, 2009, том 35, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Определение изменений ширины запрещенной зоны непрямозонных полупроводников по спектрам краевой люминесценции

А.М.Емельянов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург
E-mail: Emelyanov@mail.ioffe.ru

Поступило в Редакцию 7 октября 2008 г.

Для определения температурных зависимостей ширины запрещенной зоны (Eg) монокристаллического Si и кубического карбида кремния использован метод, основанный на аппроксимации прямыми линиями роста основного максимума на длинноволновом участке спектра краевой люминесценции и зависимости интенсивности электролюминесценции от энергии квантов, предшествующей появлению этого максимума. Показано хорошее совпадение полученной этим методом зависимости изменения Eg кремния от температуры в области температур 80-300 K с результатами ее определения на основе измерений поглощения света. Найденный по этой методике температурный коэффициент линейного изменения Eg для 3C-SiC в области температур 285-765 K составил -3.5· 10-4 eV/K и находится в хорошем согласии с ранее опубликованными данными W.J. Choyke.

PACS: 78.60.Fi, 78.60.-b, 78.55.-m

 PDF версия (171Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster