ПЖТФ, 2009, том 35, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние отжига на оптические и фотоэлектрические свойства гетероэпитаксиальных структур CdxHg1-xTe для среднего
инфракрасного диапазона

А.И.Ижнин, И.И.Ижнин, К.Д.Мынбаев, В.И.Иванов-Омский,
Н.Л.Баженов, В.А.Смирнов, В.С.Варавин,
Н.Н.Михайлов, Г.Ю.Сидоров

НИИ материалов << НПП \glqq Карат\grqq>>, Львов, Украина
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН,
Санкт-Петербург, Россия
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
E-mail: mynkad@mail.ioffe.ru

Поступило в Редакцию 22 июля 2008 г.

Исследовано влияние различных видов постростовой обработки (отжиг в атмосфере гелия или парах ртути, а также облучение низкоэнергетическими ионами) на оптические и фотоэлектрические свойства гетероэпитаксиальных структур CdxHg1-xTe, предназначенных для создания фото- и оптоэлектронных устройств среднего инфракрасного диапазона (3-5 mum). Показано, что оптимальным с точки зрения улучшения люминесцентных свойств является отжиг в парах ртути.

PACS: 61.72.Cc, 78.55.Et

 PDF версия (216Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster